[发明专利]熔丝元件、熔丝器件、保护元件、短路元件、切换元件有效
申请号: | 201680028866.0 | 申请日: | 2016-06-04 |
公开(公告)号: | CN107615440B | 公开(公告)日: | 2019-11-01 |
发明(设计)人: | 米田吉弘;古内裕治;榊原和征 | 申请(专利权)人: | 迪睿合株式会社 |
主分类号: | H01H85/08 | 分类号: | H01H85/08;H01H85/045 |
代理公司: | 北京挚诚信奉知识产权代理有限公司 11338 | 代理人: | 邢悦;王永辉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 器件 保护 短路 切换 | ||
1.一种熔丝元件,具有:
低熔点金属层,
在所述低熔点金属层上层叠的、熔点比所述低熔点金属层高的第1高熔点金属层,以及
具有熔点比所述低熔点金属层高的高熔点物质并且限制所述低熔点金属的流动或者所述第1高熔点金属层与所述低熔点金属层的层叠体的变形的限制部,
所述限制部形成在所述低熔点金属层设置的1个或者多个孔的侧面的至少一部分。
2.如权利要求1所述的熔丝元件,
所述限制部具有与熔融的低熔点金属的流动方向不平行的面或者与所述第1高熔点金属层不一致的面。
3.如权利要求1所述的熔丝元件,
所述限制部,由与所述第1高熔点金属层连接的第2高熔点金属层被覆在所述低熔点金属层设置的1个或者多个所述孔的侧面的至少一部分。
4.如权利要求3所述的熔丝元件,
所述孔是贯通孔或者非贯通孔。
5.如权利要求3或4所述的熔丝元件,
所述孔由所述第2高熔点金属填充。
6.如权利要求3或4所述的熔丝元件,
所述孔形成为截面锥状或者截面矩形状。
7.如权利要求3或4所述的熔丝元件,
所述孔的最小直径为50μm以上。
8.如权利要求3或4所述的熔丝元件,
所述孔的深度为所述低熔点金属层的厚度的50%以上。
9.如权利要求3或4所述的熔丝元件,
所述孔设置成每15×15mm为1个以上。
10.如权利要求3或4所述的熔丝元件,
所述孔为非贯通孔,在所述低熔点金属层的一个面和另一个面形成为相互相对或不相对。
11.如权利要求3或4所述的熔丝元件,
所述孔至少设置在熔丝元件的中央部,或者,通过该熔丝元件的中心的线的两侧的孔的数量差或者密度差为50%以下。
12.如权利要求1所述的熔丝元件,
所述限制部将熔点比所述低熔点金属层高的第1高熔点粒子配合于所述低熔点金属层。
13.如权利要求12所述的熔丝元件,
所述第1高熔点粒子与在所述低熔点金属层的两面层叠的所述第1高熔点金属层接触,支撑所述第1高熔点金属层。
14.如权利要求12所述的熔丝元件,
所述第1高熔点粒子的粒径小于所述低熔点金属层的厚度。
15.如权利要求1所述的熔丝元件,
所述限制部将熔点比所述低熔点金属层高的第2高熔点粒子压入到所述低熔点金属层而形成。
16.如权利要求1或3所述的熔丝元件,
所述限制部将熔点比所述低熔点金属层高的第2高熔点粒子压入到所述第1高熔点金属层与所述低熔点金属层的层叠体而形成。
17.如权利要求16所述的熔丝元件,
所述第2高熔点粒子设置有与所述第1高熔点金属层接合的突缘部。
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