[发明专利]扁平气体放电管器件和方法

说明书

与扁平放电管相关的器件和方法。在一些实施例中，气体放电管(GDT)器件可包括具有第一侧面和第二侧面并且限定开口的第一绝缘体衬底。GDT器件还可包括分别用第一和第二密封件安装到第一绝缘体衬底的第一侧面和第二侧面的第二绝缘体衬底和第三绝缘体衬底，使得所述第二绝缘体衬底和所述第三绝缘体衬底的向内表面以及所述第一绝缘体衬底的开口限定腔室。所述GDT器件还可包括实施在所述第二绝缘体衬底和所述第三绝缘体衬底的相应的向内表面上的第一和第二电极，以及实施在所述GDT器件的至少一个外表面上的第一端子和第二端子。所述GDT器件还可包括分别实施在所述第一电极和所述第二电极与所述第一端子和所述第二端子之间的电连接。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年3月17日提交的题为“MICRO FLAT GAS DISCHARGE TUBES”的美国临时申请No.62/134,533的优先权，其公开内容通过整体引用明确地合并于此。

技术领域

本申请涉及扁平(flat)气体放电管。

背景技术

许多电子设备和电路使用气体放电管(GDT)器件，其具有限制在两个电极之间的一定体积的气体。当在两个电极之间存在足够的电势差时，气体可电离以提供导电介质(medium)，由此产生电弧形式的电流。

基于这种工作原理，GDT可配置为在电气干扰期间为各种应用提供可靠且有效的过电压保护。在一些应用中，GDT相对于例如半导体雪崩二极管或晶闸管器件是优选的。半导体器件一般具有更高的电容，其依赖于所施加的电压。这可引起受保护的通信信道中不可恢复的失真以及高的插入损耗和回波损耗。因此，GDT被频繁用于期望针对过电压之类的电气干扰进行保护的电信和其他应用中。

发明内容

在一些实施方式中，本申请涉及一种气体放电管(GDT)器件，其包括：第一绝缘体衬底，具有第一面和第二面，并且限定一开口。所述GDT器件还包括第二绝缘体衬底和第三绝缘体衬底，分别安装到所述第一绝缘体衬底的第一面和第二面，使得所述第二绝缘体衬底和所述第三绝缘体衬底的向内表面与所述第一绝缘体衬底的开口限定一腔室。所述GDT器件还包括第一电极和第二电极，实施在所述腔室的一个或多个向内表面上。所述GDT器件还包括第一端子和第二端子，实施在所述GDT器件的至少一个外表面上。所述GDT器件还包括分别实施在所述第一电极和所述第二电极与所述第一端子和所述第二端子之间的电连接。

在一些实施例中，所述第一电极和所述第二电极可实施在所述第二绝缘体衬底的向内表面上。在一些实施例中，所述第一电极和所述第二电极可分别实施在所述第二绝缘体衬底和所述第三绝缘体衬底的向内表面上。

在一些实施例中，所述第一绝缘体衬底可包括陶瓷层。所述第二绝缘体衬底和所述第三绝缘体衬底中的每个可包括陶瓷层。

在一些实施例中，所述GDT器件还可包括第一密封件和第二密封件，配置为促成所述腔室的密封。所述第一密封剂可实施在所述第二绝缘体衬底和所述第一绝缘体衬底之间，所述第二密封件可实施在所述第三绝缘体衬底和所述第一绝缘体衬底之间。在一些实施例中，所述第一密封件和所述第二密封件中的每个可以是导电密封件或非导电密封件。

在一些实施例中，所述第一端子和所述第二端子可至少实施在所述第二绝缘体衬底上。所述第一端子和所述第二端子还可实施在所述第三绝缘体衬底上并且电连接到所述第二绝缘体衬底上的它们相应的第一端子和第二端子。