[发明专利]投影曝光装置有效
申请号: | 201680005296.3 | 申请日: | 2016-01-06 |
公开(公告)号: | CN107111252B | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 水村通伸 | 申请(专利权)人: | 株式会社V技术 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 吕琳;朴秀玉 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 投影 曝光 装置 | ||
本发明提供一种投影曝光装置。在一边单向扫描微透镜阵列一边将掩模的掩模图案投影曝光于基板上的投影曝光装置中,即使在微透镜中存在缺陷或不良时,也不会产生显著的曝光不均。投影曝光装置(1)具备:扫描曝光部(10),使微透镜阵列(2)沿着从基板(W)的一端朝向另一端的扫描方向(Sc)移动;及微透镜阵列位移部(20),在基于扫描曝光部(10)的微透镜阵列(2)的移动中,使微透镜阵列(2)沿着与扫描方向(Sc)交叉的位移方向(Sf)移动。
技术领域
本发明涉及一种使用了微透镜阵列的投影曝光装置。
背景技术
以往,作为将掩模图案投影曝光于基板的曝光装置,已知有使微透镜阵列介于掩模与基板之间的曝光装置(参考下述专利文献1)。如图1所示,该以往技术具备支承基板W的基板台J1及形成有曝光于基板W的图案的掩模M,且在以设定间隔配置的基板W和掩模M之间,配置有将微透镜进行二维配置的微透镜阵列MLA。根据该以往技术,从掩模M的上方照射曝光光L,通过掩模M的图案(开口)的光通过微透镜阵列MLA投影于基板W上,从而形成于掩模M的图案转印到基板表面。在此,为了在大面积的基板W上进行曝光,固定配置微透镜阵列MLA和省略图示的曝光光源,使微透镜阵列MLA相对于成一体的掩模M与基板W沿着垂直于纸面的扫描方向Sc进行相对移动,由此曝光光L在基板W上进行扫描曝光。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利公开2012-216728号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
在这种投影曝光装置中,若在微透镜阵列中存在缺陷或不良,则由于该缺陷或不良而产生曝光量局部降低的现象,因此若一边单向扫描微透镜阵列一边进行曝光,则存在如下问题,即曝光量局部降低的区域沿着扫描方向形成为条纹状,从而导致显著的曝光不均。
本发明将应对这种问题作为课题的一例。即,本发明的目的在于,一边单向扫描微透镜阵列一边将掩模的掩模图案投影曝光于基板上的投影曝光装置中,即使在微透镜中存在缺陷或不良时,也不会产生显著的曝光不均。
用于解决技术课题的技术方案
为了实现这种目的,基于本发明的投影曝光装置具备以下结构。
一种投影曝光装置,其经由微透镜阵列将曝光光投影于基板上,所述投影曝光装置的特征在于,具备:扫描曝光部,使所述微透镜阵列沿着从所述基板的一端朝向另一端的扫描方向移动;及微透镜阵列位移部,在基于所述扫描曝光部的所述微透镜阵列的移动中,使所述微透镜阵列沿着与所述扫描方向交叉的位移方向移动。
发明效果
具有这种特征的本发明的投影曝光装置一边使微透镜阵列沿着与扫描方向交叉的方向位移一边进行投影曝光,因此即使在微透镜阵列中存在缺陷或不良时,也不会产生显著的曝光不均,并能够对基板的整个面进行投影曝光。
附图说明
图1是以往技术的说明图。
图2是从侧面观察本发明的一实施方式所涉及的投影曝光装置的说明图((a)表示开始扫描曝光时的状态,(b)表示结束扫描曝光时的状态)。
图3是俯视观察本发明的一实施方式所涉及的投影曝光装置的说明图((a)表示开始扫描曝光时的状态,(b)表示结束扫描曝光时的状态)。
图4是表示微透镜阵列的形态例和曝光不均的消除方法的说明图((a)是使微透镜仅沿着扫描方向移动的扫描曝光的例子,(b)是使微透镜沿着扫描方向和位移方向移动的扫描曝光的例子)。
图5是表示图4(a)和图4(b)的扫描曝光的结果的曲线图((a)是使微透镜仅沿着扫描方向移动的扫描曝光的例子,(b)是使微透镜沿着扫描方向和位移方向移动的扫描曝光的例子)。
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