[实用新型]一种双管正激式开关电源输入MOS管的浮地驱动电路有效

专利信息
申请号: 201621436350.3 申请日: 2016-12-26
公开(公告)号: CN206341134U 公开(公告)日: 2017-07-18
发明(设计)人: 唐景新 申请(专利权)人: 常州市创联电源科技股份有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 常州市江海阳光知识产权代理有限公司32214 代理人: 张兢
地址: 213000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 双管 正激式 开关电源 输入 mos 驱动 电路
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及开关电源领域,具体涉及一种双管正激式开关电源输入MOS管的浮地驱动电路。

背景技术

200W/300W双管正激式开关电源在工业控制、LED显示屏等场合得到广泛应用。双管正激式开关电源通常由外壳以及相关电路构成。现有技术中,常见的带输入MOS管浮地驱动电路的双管正激式开关电源一次侧简化的电路如图1所示,其包括输入整流桥BG1、用于产生PWM驱动信号的控制芯片U1、与主变压器T1相连接的2只输入MOS管Q1和Q2,其中第一MOS管Q1的源极为浮地设置方式,第一MOS管Q1所需的驱动电流较大,从而给第一MOS管Q1的驱动带来了很大的困难,为解决这一问题,图1所示的现有技术部电路中,采用包括驱动电阻R1、磁环H1和电容C1的浮地驱动电路对第一MOS管Q1进行浮地驱动。该种磁环驱动方式的电路存在的问题是:由于磁环H1的磁芯为一个闭合的圆环,磁芯中无法加入气隙,而第一MOS管Q1所需的驱动电流较大,因而工作时容易导致驱动磁环H1饱和,为解决磁环H1易饱和问题,需要增大磁环H1的磁芯截面积或增加磁环H1线圈匝数来抑制饱和;然而,该2种解决方法均使得磁环H1的体积增大,在开关电源较小的空间内难以安装;同时增加磁环H1线圈匝数则易使得绕组间漏感加大,导致驱动波形变异影响驱动效果。

实用新型内容

本实用新型的目的是:针对现有技术中存在的问题,提供一种结构简单、体积较小、易于安装、使用时能够有效满足浮地设置的输入MOS管大电流驱动需要且驱动波形理想的双管正激式开关电源输入MOS管的浮地驱动电路。

本实用新型的技术方案是:本实用新型的双管正激式开关电源输入MOS管的浮地驱动电路,包括控制芯片U1、隔直电容C1和电阻R1;上述的控制芯片U1具有PWM驱动信号输出端;控制芯片U1的PWM驱动信号输出端与隔直电容C1的一端电连接;其结构特点是:还包括浮地驱动变压器T2;

上述的浮地驱动变压器T2具有磁芯、原边绕组和副边绕组;浮地驱动变压器T2的磁芯设有气隙;浮地驱动变压器T2的原边绕组和副边绕组分别具有正负极接线端;

上述的隔直电容C1的另一端与浮地驱动变压器T2的原边绕组的正极接线端电连接;浮地驱动变压器T2的副边绕组的正极接线端与电阻R1的一端电连接;

安装时,电阻R1的另一端与开关电源电路中需要浮地驱动的第一输入MOS管Q1的栅极电连接;浮地驱动变压器T2的原边绕组的负极接线端与开关电源电路中的整流桥BG1输出端负极电连接;浮地驱动变压器T2的副边绕组的负极接线端与开关电源电路中需要浮地驱动的第一输入MOS管Q1的源极以及主变压器T1的原边正极接线端共线。

本实用新型具有积极的效果:(1)本实用新型的双管正激式开关电源输入MOS管的浮地驱动电路,其通过将现有技术中用作浮地驱动的磁环改为变压器,将传统的磁环驱动改为变压器浮地驱动,并在变压器磁芯中加入气隙,从而使得驱动变压器不易饱和,使用时能够有效满足浮地设置的输入MOS管大电流驱动需要且驱动波形理想,从而保证双管正激式开关电源可靠高效工作。(2)本实用新型的双管正激式开关电源输入MOS管的浮地驱动电路,其通过将现有技术中用作浮地驱动的磁环改为变压器,变压器的体积可较之于实现同样功能的磁环体积更小,更便于在体积较小的开关电源中安装,并有利于减小开关电源的整体体积。

附图说明

图1为现有技术中常用的双管正激式开关电源输入MOS管的浮地驱动电路的简化结构示意图,图中还显示了开关电源电路中与输入MOS管的浮地驱动电路相关的器件和电连接关系;

图2为本实用新型的电路结构示意图,图中还显示了开关电源电路中与本实用新型相关的器件和电连接关系。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

(实施例1)

见图2,双管正激式开关电源的一次侧电路包括整流桥BG1、滤波电容C、第一输入MOS管Q1、第二输入MOS管Q2以及主变压器T1,其中,第一输入MOS管Q1的漏极与整流桥BG1输出端正极以及滤波电容C的一端共线;第一输入MOS管Q1的源极与主变压器T1的原边正极接线端电连接;第一输入MOS管Q1的栅极需要浮地驱动。

本实施例的双管正激式开关电源输入MOS管的浮地驱动电路,其用于前述的第一输入MOS管Q1的栅极浮地驱动,该浮地驱动电路主要由控制芯片U1、隔直电容C1、电阻R1和浮地驱动变压器T2组成。

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