[实用新型]天线装置有效

专利信息
申请号: 201621414035.0 申请日: 2016-12-21
公开(公告)号: CN206712028U 公开(公告)日: 2017-12-05
发明(设计)人: 袁曲;智树芳;师小东 申请(专利权)人: 无锡村田电子有限公司
主分类号: H01Q7/00 分类号: H01Q7/00;H01Q1/22;H01Q1/24;H01Q1/38
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 宋俊寅
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 天线 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种天线装置,特别涉及一种用于NFC的天线装置。

背景技术

NFC(Near Field Communication:近距离无线通信)天线作为一种无线通信技术现已普及。作为NFC天线,例如在专利文献1中披露了如下的天线:如图15(A)所示,金属板2具有第一导体开口部21和第二导体开口部22,线圈导体31设置在金属板2的第一导体开口部21的下方;此外图15(B)是天线装置的电流示意图,由于第二导体开口部22的存在,使得金属板2内圈的涡流I1感应出金属板2外圈的涡流I2和第二导体开口部22处的涡流I3。金属板2内圈的涡流I1与线圈导体31的电流I0的方向相反,因而会降低天线线圈的增益;金属板2外圈的涡流I2与线圈导体31的电流I0的方向相同,因而会增加天线线圈的增益。此外,图15(C)和图15(D)是第二导体开口部22的变形例,图15(C)中,第二导体开口部22由缝隙和开孔构成,图15(D)中,第二导体开口部22是与第一导体开口部21相同大小的开孔,线圈导体31设置于第一导体开口部21的下方。

现有技术文献

专利文献1:WO2014/125927

然而,专利文献1只是对于金属后壳的开孔以及设置在金属后壳的开孔下方的天线线圈进行的改进,而完全没有考虑过在金属后壳的下方隔着天线线圈设置的金属板例如PCB等对于天线性能的影响,

实际上,如图16所示,在例如作为手机后壳的金属后壳的相对侧一般都会存在PCB上的金属层或中壳等金属结构,而该金属结构会遮挡磁通的流通,降低天线的性能。专利文献1对于这一问题均没有任何描述,并且没有给出任何的解决方案。

实用新型内容

本实用新型是鉴于上述问题而完成的,其目的在于,提供一种能够减小PCB上的金属层或中壳等金属结构对于天线性能的降低的天线装置。

本实用新型所涉及的天线装置包括第一金属层,该第一金属层具有第一开口部;第二金属层,该第二金属层具有第二开口部;以及天线,该天线位于所述第一金属层的第一开口部和所述第二金属层的第二开口部之间,所述第一金属层的开口部和所述第二金属层的开口部在厚度方向上至少部分重叠。

通过采用上述结构,能够使得磁通穿过第二金属层而不被阻挡,从而不仅能够减小第二金属层(PCB上的金属层或中壳等金属结构)对于磁通的屏蔽,即减小对于天线性能的降低,而且还能够使第二金属层(PCB等金属板)与第一金属层(例如金属后壳或后壳的一部分)同样地起到辐射板的作用,从而可大幅提高天线性能。

作为第一优选方式,所述天线包括具有开口的线圈,所述线圈的开口至少一部分不被所述第一金属层和所述第二金属层阻挡。

由此,根据本实用新型的第一优选方式,磁通可通过天线线圈的开口进入或者流出,并且进一步优选为天线线圈的开口完全不被所述第一金属层和所述第二金属层阻挡。

作为第二优选方式,所述第一开口部和所述第二开口部在线圈以外的区域具有重叠的部分。

由此,根据本实用新型的第二优选方式,能够使磁通形成闭合的回路,可进一步提高天线性能。

作为第三优选方式,所述第一开口部和所述第二开口部的面积相等,形状相同,且完全重叠。

由此,根据本实用新型的第三优选方式,能够进一步提高天线性能。

作为第四优选方式,所述第一开口部在厚度方向上的投影落在所述第二开口部的范围内。

由此,根据本实用新型的第四优选方式,能够进一步提高天线性能。

作为第五优选方式,所述天线不被所述第二金属层阻挡。

由此,根据本实用新型的第五优选方式,由于天线是接收或产生磁通的器件,因而若天线不被第二金属层阻挡,则能够减小第二金属层的屏蔽作用,从而进一步提高天线性能。

作为第六优选方式,所述第二开口部是开孔。

作为第七优选方式,所述第二开口部包括两个开孔、和连接该两个开孔的缝隙。

由此,根据本实用新型的第七优选方式,通过利用狭缝来改变涡流流向分布,从而能够进一步提高天线性能。

作为第八优选方式,所述第二开口部包括开孔、和从该开孔的边缘延伸至所述第二金属层的边缘的缝隙。

由此,根据本实用新型的第八优选方式,通过利用狭缝来改变涡流流向分布,从而能够进一步提高天线性能。

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