[实用新型]一种基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器有效
| 申请号： | 201621404934.2 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN206311208U | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 汪金华;庄永河;李鸿高;尚玉凤 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
| 主分类号： | G01J1/44 | 分类号： | G01J1/44;G01N21/01;G01H9/00 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙)34115 | 代理人： | 王丽丽,金凯 |
| 地址： | 230088 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 精密 薄膜 电阻 电容 光电 探测器 | ||
1.一种基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器，其特征在于：包括壳体（1）、金属光纤（2）及安装于壳体（1）底部的陶瓷薄膜基板（3），所述陶瓷薄膜基板（3）上设有金属载体（4）及与金属载体（4）电连接的电阻桥模块（5）、裸芯片元件（6）和无源器件（7），所述金属载体（4）上设有光电二极管（8），所述壳体（1）上设有开孔，所述金属光纤（2）通过开孔插入壳体（1）内且其端部与光电二极管（8）呈相对设置。
2.根据权利要求1所述的基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器，其特征在于：所述陶瓷薄膜基板（3）上设有薄膜电阻（31）和导带（32），所述金属载体（4）、电阻桥模块（5）、裸芯片元件（6）和无源器件（7）安装于导带（32）上通过导带（32）相互导通。
3.根据权利要求2所述的基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器，其特征在于：所述薄膜电阻（31）和导带（32）通过薄膜溅射和光刻方法制作。
4.根据权利要求1所述的基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器，其特征在于：所述电阻桥模块（5）包括前级载体（51）及与前级载体（51）电连接的后级载体（52），所述前级载体（51）的上表面焊接有前级电容（53）及与前级电容（53）并联的前级电阻（54），所述后级载体（52）的上表面焊接有后级电阻（55），该后级电阻（55）与前级电阻（54）相串联。
5.根据权利要求4所述的基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器，其特征在于：所述前级载体（51）通过金丝（56）与后级载体（52）电连接。
6.根据权利要求1所述的基于精密薄膜电阻和电容峰化的光电探测器，其特征在于：所述壳体（1）为双列直插式管壳。
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