[实用新型]一种应用于CATV光接入的EPON光网络单元有效
申请号: | 201621380981.8 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN206389493U | 公开(公告)日: | 2017-08-08 |
发明(设计)人: | 吴照明;马晓贤;任锦标;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 无锡市电子仪表工业有限公司 |
主分类号: | H04Q11/00 | 分类号: | H04Q11/00 |
代理公司: | 江苏英特东华律师事务所32229 | 代理人: | 邵鋆 |
地址: | 214072 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 catv 接入 epon 网络 单元 | ||
技术领域
本实用新型涉及光通信领域,具体涉及的是一种应用于CATV光接入的EPON光网络单元。
背景技术
从2011年中国三网融合的实践进程以来,广电行业已经开始加速演变,以适应三网融合的要求。广电行业在收入结构、双向网改、网络整合、数字化转换、新媒体扩展、增值业务开拓等方面均取得了一定进展。我国CATV(有线电视网络)基本都是HFC(光纤同轴混合网)网络结构,就是将过去电缆干线的部分用光纤干线取代,并有“光进铜退”的趋势,也就是光纤不断向用户延伸,同轴电缆部分逐渐变短、变小,以提高网络系统的综合性能,以多功能业务发展推动双向网改造。由于光纤直接到户的建设改造成本很高,在我国全面实现“光纤到户”还需要一段较长的过渡时期,目前我国的网络双向化改造虽不断扩大光纤传输覆盖范围,但总体上还处于“光纤到区”、“光纤到楼”的阶段,但“光进铜退”将是广电网络双向化、宽带化的发展趋势。实现网络双向改造的技术种类较多,目前主要采用EPON(以太无源光网络)+EOC技术,以FTTB(光纤到楼)模式完成有线网络双向改造中的最后一公里光纤接入。
目前,广电网络双向改造中所采用的EPON光网络单元基本为传统结构模式,采用独立光模块封装,以插座的方式与光网络单元主板相连接。这种结构模式虽然支持热插拔,便于维护和更换,但其独立封装的模式大大增加了制造成本,FTTB模式户外环境下工作,其插座连接的方式也降低了整机的可靠性。
发明内容
本实用新型的目的就是针对背景技术中EPON光网络单元传统结构的缺陷,从而提供了一种应用于CATV光接入的EPON光网络单元,该光网络基于BOB(BOSA On Board)技术,即BOSA(Bi-Directional Optical Sub-Assembly)光发射接收组件在板技术,将光网络单元采用板上集成的结构,大大节省了成本和半面空间,提高了成品率和稳定性。
为了解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:一种应用于CATV光接入的EPON光网络单元,包括BOSA光发射接收组件,其特征在于,还包括光纤接口、电源管理芯片和PON主处理芯片;以PON主处理芯片为控制核心,其连接有光激励驱动芯片、晶振、DRAM存储芯片、FLASH存储芯片、电源接口、状态指示灯和Ethernet网络接口;所述光激励驱动芯片还与BOSA光发射接收组件连接;所述BOSA光发射接收组件与光纤接口连接;所述电源管理芯片与所述晶振连接。
优选的:所述PON主处理芯片采用型号为MT7520ST的芯片。
优选的:所述BOSA光发射接收组件采用的型号为HDB3434U-CA-MTK的芯片。
优选的:所述光激励驱动芯片采用型号为EN7570的芯片。
优选的:所述DRAM存储芯片采用型号为K4T1G164QG-BCF7的芯片。
优选的:所述FLASH存储芯片采用型号为W25Q128FVFIG的芯片。
优选的:所述电源管理芯片采用型号为NX7101的芯片,12V直流单电源供电方式。
优选的:所述Ethernet网络接口采用RJ45。
优选的:所述晶振为25MHZ晶振。
本实用新型的有益效果是:本EPON光网络单元采用BOB(BOSA On Board)技术,即BOSA(Bi-Directional Optical Sub-Assembly)光发射接收组件在板技术,不再使用独立的光模块,而是采用板上集成方案,将光电器件及光激励驱动芯片集成于母板上,节省了成本和板面空间,同时采用独特的双闭环技术,实现了温度自动调节和补偿功能,只需在常温状态设定参数,高低温补偿由系统自动完成,大大降低了生产测试成本和整体BOM(物料清单)成本,同时也提高了成品率和稳定性。
附图说明
图1,本实用新型的构成框图。
具体实施方式
下面结合附图以及优选的方案对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。
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