[实用新型]温控点可修调的智能温控电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及LED驱动电路技术领域，尤其涉及智能温控电路技术领域，具体是指一种温控点可修调的智能温控电路。

背景技术

LED驱动电路中，流过功率管的电流比较大，加在功率管两端的电压随输入电压的升高而升高，芯片的发热会比较明显，芯片本身的散热能力有限，芯片的温度会不断升高，功率过高还会减少LED的寿命。针对芯片发热，智能温度控制是常见的解决方法，现有一种线性LED驱动的智能温控电路，在芯片温度升高到一定值T_ADJ时，减小输出电流，调节芯片的温度。但是该电路智能温控点受工艺波动影响大，导致不同芯片间智能温控点离散性大。

针对上述问题目前有一种做法是通过成测时让芯片以一个固定的电流工作一段时间，测试这段时间芯片的温漂，挑出满足规范的电路，这种方法是通过间接的方法测得的，工作一段时间后芯片的温度不准，导致测试结果不够精确，而且在成测中将不满足规范的电路卡掉，会导致成品良率低。

现有解决方案1：电路在出厂成测时进行如下测试，Drain端加一直流电压，采样电阻为R_CS，电路上电工作时间为T，测试输入电流变化，电路工作一段时间T后的电流温漂在规定范围的为良品。该测试方法是基于电路在相同的工作电流下工作相同的时间，芯片的发热量相同，即芯片工作T时间后芯片温升是相同的。

方案1的缺点在于，不同芯片功率管的导通电阻会有差异，对芯片的温升影响较大，电路工作一段时间T后，电路的温升会有差异，由于测得的电流温漂不在相同的温度差下测得，所以通过它测到的智能温控点不准确。

现有解决方案2：测试时，直接给芯片加温测试智能温控点。

方案2的缺点在于，智能温控点一般都设置在130℃左右，目前测试条件不允许，且成本较高。

综上所述，这两种方案都是成测方法，会导致良率偏低，不能对温控点修调。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服了上述现有技术的缺点，提供了一种能够实现有效改善温控点的离散性问题，而且不会降低成测良率的温控点可修调的智能温控电路。

为了实现上述目的，本实用新型的温控点可修调的智能温控电路具有如下构成：

该温控点可修调的智能温控电路，包括：

带隙基准模块，用于产生带隙基准电压和正温度系数电流，所述的带隙基准模块包括带隙基准电压输出端和正温度系数电流输出端；

温度控制模块，用于调整内部电阻的阻值以修调温控点，确保芯片温度在安全范围内，所述的温度控制模块分别与所述的带隙基准电压输出端和所述的正温度系数电流输出端相连接。

较佳地，所述的温度控制模块包括用于测试25℃时VREF的电压值的测试电阻，以及用于根据测得的VREF的电压值调整阻值以修调温控点的设定电阻，所述的测试电阻和所述的设定电阻并联连接于所述的正温度系数电流输出端与接地端之间。

较佳地，所述的带隙基准模块包括第一P型MOS管、第二P型MOS管、第三P型MOS管、第四P型MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一三极管、第二三极管和N型MOS管，所述的第一P型MOS管的栅极分别与所述的第一P型MOS管的漏极、所述的第二P型MOS管的栅极、所述的第一三极管的集电极、所述的第四P型MOS管的栅极和启动电路相连接，所述的第一P型MOS管的源极分别与所述的第二P型MOS管的源极、所述的第三P型MOS管的源极和所述的第四P型MOS管的源极相连接并接VCC，所述的第四P型MOS管的漏极与所述的正温度系数电流输出端相连接，所述的第二P型MOS管的漏极分别与所述的第二三极管的集电极和所述的N型MOS管的栅极相连接，所述的第三P型MOS管的漏极分别与所述的第三P型MOS管的栅极和所述的N型MOS管的漏极相连接，所述的N型MOS管的源极分别与所述的第一三极管的基极、所述的第二三极管的基极和所述的带隙基准电压输出端相连接，所述的第一三极管的发射极与所述的第一电阻的第一端相连接，所述的第一电阻的第二端分别与所述的第二电阻的第一端和所述的第二三极管的发射极相连接，所述的第二电阻的第二端与所述的第三电阻的第一端相连接，所述的第三电阻的第二端接地。