[实用新型]一种应用于ALD设备的浪涌电流抑制电路

说明书

技术领域

本实用新型是一种应用于ALD设备的浪涌电流抑制电路，涉及满足AISG协议规范的天线线上设备（Antenna line device，ALD），如塔顶放大器(Tower Mounted Amplifier,TMA)和远程电调天线（Remote Electronic Tilting antenna, RET）等，特别涉及一种应用于ALD中的浪涌电流抑制电路。

背景技术

AISG协议是由世界主流的移动通信系统厂商和微波天线相关厂家联合制定的天线智能化线上设备与基站之间的通信规范，天线智能化线上设备主要包括远程电调天线（RET）和塔顶放大器（TMA）两种。其中RET分为单频段远程电调天线（single-band remote electronic tilting antenna, SRETA)和多频段远程电调天线（multi-band remote electronic tilting antenna, MRETA)两种。

在TMA、SRETA和MRETA等ALD产品中，由于大量储能电容的存在，在ALD接入基站系统的瞬间，会产生很大的浪涌电流。例如在某一款6单元的MRETA产品中集成了6个电机驱动模块，每个模块中包含一个220μF的储能电容，总的储能电容达1320μF，当基站与MRETA相连时将产生很大的浪涌电流，导致大量接触电火花并很有可能造成基站AISG端口输出过载故障。

AISG协议规定供电电压为10-30V，在整个电压范围内ALD设备接入系统瞬间的浪涌电流需要小于400mA。与此同时基站系统厂家为了更好的规范ALD设备性能，提出了更加详细的要求和测试条件，例如某世界知名基站系统厂家要求与其对接的ALD设备满足如下浪涌抑制测试：在测试电压30V，电压上升时间小于50μs的条件下，以20mS的间隔时间对ALD反复上电、断电，要求瞬时功率小于6.75瓦，即电流上限为225mA。该测试比AISG协议规范更加具体，要求更加严格。

为了有效抑制浪涌电流，目前常用的方案包括集成浪涌抑制IC和分离器件方案两种。

集成IC方案价格较高，供货周期长，如果产品产量达不到一定规模，订货周期和成本都是制约中小企实施该方案的主要障碍。

分离器件方案主要包括有源浪涌抑制和无源浪涌抑制两种。

无源浪涌抑制方案在电源电压固定、且浪涌电流阈值和工作电流相差较大时是一种较好的选择。但ALD产品应用环境中这两个条件都不满足。首先ALD输入电压范围宽，有效范围为10-30V，其次，浪涌电流阈值为400mA，基站系统更加严格的标准为225mA，而ALD设备正常工作常大于该阈值，例如在RET产品中，调节下倾角过程中，需要驱动电机，工作电流远大于浪涌电流阈值；在多通道TMA中，由于需要多路低噪声放大器（Low noise amplifier，LNA）同时工作，工作电流也大于浪涌电流阈值。

有源浪涌抑制电路通常采用P沟道MOSFET作为开关元件，通过控制MOSFET门极电压来控制MOSFET开关的导通程度，以此来抑制浪涌电流。但是此类电路有一个共同的不足是：在系统电源反复上电、断电的情况下，决定MOSFET门极电压的储能电容中的电荷不能快速释放，导致在反复上电、断电情况下电路会失去对浪涌电流的抑制能力。

实用新型内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型目的是提供一种应用于ALD设备的浪涌电流抑制电路，该电路用在电源与用电负责之间，以解决上述背景技术中提出的问题。

为了实现上述目的，本实用新型是通过如下的技术方案来实现：一种应用于ALD设备的浪涌电流抑制电路，包括电源输入端、单向导通电路、预充电电阻、电子开关、门极电压缓启动电路以及电源输出端，电源输入端与单向导通电路的输入端连接，单向导通电路的输出端与预充电电阻的输入端连接，预充电电阻的输出端与电源输出端连接，单向导通电路的输出端与电子开关的第一输入端连接，电子开关的输出端与电源输出端连接，电源输入端与快速放电电路的输入端连接，快速放电电路的输出端与门极电压缓启动电路的输入端连接，门极电压缓启动电路的输出端与电子开关的第二输入端连接。

进一步地，所述输出电路为一种ALD内部电路。

进一步地，单向导通电路用于实现电源关断瞬间对门极电压缓启动电路中储能元件的快速放电，保证了在反复上电、断电情况下的浪涌电流抑制能力，单向导通电路为一种二极管，或是由MOSFET构成的近似理想二极管电路。