[实用新型]VAD反应容器内负压值的控制系统

说明书

技术领域

本实用新型属于光纤预制棒制造装置，具体是一种VAD反应容器内负压值的控制系统。

背景技术

VAD技术为一种光纤预制棒制造工艺，其工艺过程是在加热的条件下，使保存在一定温度下的原料气化，由载流气体装置精密控制流量送至喷灯，喷灯喷出原料气体在火焰中发生水解反应，生产SiO₂和GeO₂氧化物微粒，这些微粒由火焰送至初始种棒07（参见图1）端面附近，最终沉积在初始种棒上形成光纤预制棒08（参见图1）。而在此过程中很大一部分氧化物微粒由于未堆积在种棒，需要由排废系统抽走，而此排废系统关键在于抽风量的控制。风量过大会带走过多氧化物微粒，影响VAD工艺的沉积效率；风量过小会导致制品的外观质量。

现有的排废系统为直接由风机抽风排废，存在以下缺陷：

1.由于抽风量由风机的转速来决定的，不会由于外界环境，制品生长的变化而变化，从而难以保证反应容器内的气压值（通常为负压）。

2.直接由风机来完成抽风，抽风量过小时，管道里容易积尘。而且直接由风机抽风时，气流全部为反应容器内的高温气体，管道及废处理器难以承受。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题和提出的技术任务是克服现有技术难以保证反应容器内的气压值、风机抽风时气流全部为反应容器内的高温气体导致管道及废处理器难以承受的缺陷，提供一种VAD反应容器内负压值的控制系统。

为达到上述目的，本实用新型的VAD反应容器内负压值的控制系统，包括风机、VAD反应容器，其特征是：所述风机的上游经风管连接废处理器、排风罩，所述排风罩位于所述的VAD反应容器内，连接所述排风罩的风管上设有补风阀。

作为优选技术手段：所述的补风阀包括手动补风阀和电动补风阀。

作为优选技术手段：所述的VAD反应容器内设有压力表，所述压力表的信号反馈给PID系统，所述的PID系统控制所述电动补风阀做出相应的风量调节。

作为优选技术手段：所述排风罩位于所述VAD反应容器的侧壁处，所述VAD反应容器的侧壁上开设有对应所述排风罩的自动补风口。

作为优选技术手段：所述的废处理器与排风罩之间的风管上连接除尘塔。

作为优选技术手段：所述的除尘塔呈竖向筒状，所述的排风罩经风管连接在所述除尘塔的侧壁上，所述除尘塔的顶部设有横向弯折的弯曲部，所述的废处理器经风管连接所述的弯曲部，所述除尘塔的底部设有排废口。

作为优选技术手段：所述的排废口为漏斗状。

作为优选技术手段：所述的排废口上设有阀门。

作为优选技术手段：所述除尘塔的侧壁上设有视窗。

本实用新型的有益效果是：通过在连接排风罩的风管上设有补风阀，调节补风阀的开度来调节风机对VAD反应容器内负压值的影响，能有效的控制反应容器内部的负压值，稳定的控制VAD排废抽风量，从而稳定反应容器内的气体流场；同时，由于补风阀的存在，降低了管路内的气体温度。

附图说明

图1为本实用新型VAD反应容器内负压值的控制系统示意图；

图2为本实用新型除尘塔的示意图；

图中标号说明：

01-风机；

02-废处理器；

03-除尘塔：

31-弯曲部，32-排废口，33-视窗；

04-风管

41-手动补风阀，42-电动补风阀；

05-排风罩；

06-VAD反应容器：

61-压力表，62-自动补风口；

07-初始种棒；

08-光纤预制棒。

具体实施方式

以下结合说明书附图对本实用新型做进一步说明。

如图1所示，本实用新型的VAD反应容器内负压值的控制系统包括风机01、VAD反应容器06，风机01的上游（即气流流向的上游）经风管04连接废处理器02、排风罩05，排风罩05位于VAD反应容器06内，连接排风罩05的风管上设有补风阀。