[实用新型]用于MTK手机的上电开机电路有效
| 申请号： | 201621194290.9 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN206136064U | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 熊安华;陈德方 | 申请（专利权）人： | 上海银沪通信科技有限公司 |
| 主分类号： | H04M1/78 | 分类号： | H04M1/78;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所(普通合伙)11265 | 代理人： | 倪钜芳 |
| 地址： | 201101 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 mtk 手机 开机 电路 | ||
1.一种用于MTK手机的上电开机电路，其特征在于，其包括：第一场效应管Q2003，该第一场效应管Q2003的源极S接地，该第一场效应管Q2003的漏极D通过电阻R2007而接于电源VBAT_4V，且在第一场效应管Q2003的源极S与电阻R2007之间通过线路而接有电阻R2008，该电阻R2008另一端接有开机信号接口PWEKEY，该开机信号接口PWEKEY连接于手机电源管理芯片，所述第一场效应管Q2003的栅极G通过电阻R2004而接于电源VBAT_4V,且在第一场效应管Q2003的栅极G与源极S间接有电阻R2006，第一场效应管Q2003的栅极G与电阻R2004间接有第二场效应管Q2002，该第二场效应管Q2002的源极S接地，第二场效应管Q2002的栅极G通过电阻R2005而接于芯片MT6735。
2.根据权利要求1所述的用于MTK手机的上电开机电路，其特征在于，所述第一场效应管Q2003、第二场效应管Q2002为WNM2030。
3.根据权利要求1所述的用于MTK手机的上电开机电路，其特征在于，所述电阻R2008的阻值为1K。
4.根据权利要求1所述的用于MTK手机的上电开机电路，其特征在于，所述电阻R2007的阻值为1M。
5.根据权利要求1所述的用于MTK手机的上电开机电路，其特征在于，所述电阻R2004的阻值为100K。
6.根据权利要求1所述的用于MTK手机的上电开机电路，其特征在于，所述电阻R2005的阻值为10K。
7.根据权利要求1所述的用于MTK手机的上电开机电路，其特征在于，所述电阻R2006的阻值为150K。
8.根据权利要求1所述的用于MTK手机的上电开机电路，其特征在于，所述电源VBAT_4V为4V电源。
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