[实用新型]一种升降压电路

说明书

技术领域

本实用新型主要涉及到升降压电路领域，特指一种升降压电路。

背景技术

现有普通的双向斩波器电路如图1所示，主要由电容C1、开关管Q1和Q2、二极管D1和D2、主电感L1、电容C2组成。此电路能实现能量的双向流动。当能量由A端口流向B端口时，开关管Q1处于开关状态，开关管Q2处于关断状态，D2作为续流二极管，此时电路是一个斩波降压电路，电路工作在降压状态；当能量由B端口流向A端口时，开关管Q1处于断开状态，开关管Q2处于开关状态，D1作为续流二极管，此时电路是一个斩波升压电路，电路工作在升压状态。

但是，上述普通的双向斩波器电路存在以下不足：

（1）能量由A端口流向B端口时只能实现降压功能，而不能实现升压功能，一旦B端口电压高于A端口电压，就无法再实现能量由A端口向B端口的流动。

（2）能量由B端口流向A端口时只能实现升压功能，而不能实现降压功能，一旦A端口电压低于B端口电压，A端口输出电压就会失控。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题就在于：针对现有技术存在的技术问题，本实用新型提供一种结构简单、易实现、适用范围广的升降压电路。

为解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

一种升降压电路，包括第一单元、第二单元及主电感L1，所述第一单元和第二单元的电路结构相同，均采用双向斩波器电路；所述第一单元的一端连接于A端口，所述第一单元的另一端通过主电感L1与第二单元的一端连接，所述第二单元的另一端连接于B端口；所述双向斩波器电路为由电容、开关管组及与开关管组配合的二极管组成的驱动电路。

作为本实用新型的进一步改进：所述第一单元的驱动电路包括第一电容C1、第一开关管Q1、第三开关管Q3、第一二极管D1、第三二极管D3，每个开关管均与一个二极管配合；所述第二单元的驱动电路包括第二电容C2、第二开关管Q2、第四开关管Q4、第二二极管D2、第四二极管D4，每个开关管均与一个二极管配合；所述主电感L1的一端连接至第一开关管Q1与第三开关管Q3之间的F点，主电感L1的另一端连接至第二开关管Q2与第四开关管Q4之间的I点。

作为本实用新型的进一步改进：所述第一单元和/或第二单元中开关管为IGBT或MOSFET半导体功率器件。

作为本实用新型的进一步改进：所述第一单元和/或第二单元中二极管为在开关管内封装反并的二极管。

与现有技术相比，本实用新型的优点在于：

本实用新型的升降压电路，结构简单、易实现、适用范围广，所采用的电路能解决普通双向斩波器电路的缺点，能实现双向的升降压功能。当能量由A流向B时，电路既能实现降压功能也能实现升压功能；当能量由B流向A时，电路也能实现升降压功能。

附图说明

图1是现有普通的双向斩波器电路的原理示意图。

图2是本实用新型在具体实例中升降压电路的原理示意图。

图3是本实用新型在具体实例中能量由A端口流向B端口时升压工作模式的等效电路图。

图4是本实用新型在具体实例中能量由A端口流向B端口时降压工作模式的等效电路图。

图5是本实用新型在具体实例中能量由B端口流向A端口时升压工作模式的等效电路图。

图6是本实用新型在具体实例中能量由B端口流向A端口时降压工作模式的等效电路图。

图例说明：

1、第一单元；2、第二单元。

具体实施方式

以下将结合说明书附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细说明。

如图2所示，本实用新型的升降压电路，包括第一单元1、第二单元2及主电感L1，第一单元1和第二单元2的电路结构相同，均采用双向斩波器电路，第一单元1的一端连接于A端口，第一单元1的另一端通过主电感L1与第二单元2的一端连接，第二单元2的另一端连接于B端口。该双向斩波器电路为由电容、开关管组及与开关管组配合的二极管组成的驱动电路。

在具体应用实例中，开关管可以根据实际需要采用IGBT或MOSFET等半导体功率器件。二极管可以为在开关管内封装反并的二极管。