[实用新型]一种电光Q开关

说明书

技术领域

本实用新型涉及脉冲激光调Q器件，具体涉及一种电光Q开关。

背景技术

电光调Q技术是利用在晶体上施加电压改变晶体的折射率，从而达到改变光的偏振态，与偏振片一起使用可实现光开关的作用。利用电光调Q技术的脉冲激光，脉宽窄，峰值功率高。

现有技术中，电光Q开关在高功率，高重复频率下使用时，晶体发热较大，温度上升，造成峰值功率降低，光束质量变差，半波电压变化，过大的温度上升甚至会对晶体造成破坏；而如何解决上述问题成为现有电光Q开关均需面临的，特别是如何提高电光Q开关的功率，降低其发热量成为最难以解决的问题。

发明内容

本实用新型针对现有技术存在的诸多不足之处，提供了一种电光Q开关，该开光包括圆筒形壳体，所述壳体内设置有方形晶体槽，所述晶体槽四面均设置有安装槽，所述壳体上设置有两个电极，所述电极穿透壳体与方形晶体槽连接，与电极连接的方形晶体槽一侧设置有台阶结构，所述台阶结构内设置有簧片；采用这种结构的电光Q开关，改变了现有技术中必须采用圆柱形晶体的现状，可以采用方形DKDP晶体，使得整个电光Q开关的能量等级提高，功率也得到了大幅提升，且解决了晶体散热的问题。

本实用新型的具体技术方案是：

一种电光Q开关，该开光包括圆筒形壳体，所述壳体内设置有方形晶体槽，所述方形晶体槽四面均设置有安装槽，所述壳体上设置有两个电极，所述电极穿透壳体与方形晶体槽连接；与电极连接的方形晶体槽一侧设置有台阶结构，所述台阶结构内设置有簧片；

所述的安装槽采用弧形安装槽；

所述方形晶体槽安装有方形DKDP晶体，且所述簧片为“Z”字形。

现有技术中电光Q开关中一般均采用圆柱形DKDP晶体作为光电晶体，由于形状所限，其功率和能量等级已经难以得到提升，且由于圆柱形晶体与壳体接触面积过大，使用时其产生的大量热能会直接传到给壳体导致壳体寿命大大下降，不利于整个电光Q开关的散热，这也是现有技术难以克服的问题，而采用本实用新型提供的这种结构的电光Q开关，改变了现有技术中必须采用圆柱形晶体的现状，可以采用方形DKDP晶体，由于方形DKDP晶体的实际功率高于圆柱形晶体，从而使得整个电光Q开关的能量等级提高，功率也得到了大幅提升，提高了其适用范围且延长了电光Q开关的使用寿命；所述的方形晶体槽四面均设置有安装槽，这样就克服了方形晶体不易安装的问题，可以通过安装槽配合夹具等工具放置方形晶体，为了达到最好的效果安装槽优选采用弧形安装槽，这样在安装完毕之后，安装槽的存在降低了晶体与壳体的接触面积，同时安装槽更加有利于气体流通从而降低晶体的温度，这样就解决了晶体散热的问题；

在使用时，方形晶体必须通电，因此需在晶体外侧镀上一层镀金导电层，而所述壳体上设置有两个电极，所述电极穿透壳体与方形晶体槽连接，而为了能与镀金导电层接触，现有技术中的圆柱形晶体一般采用包裹导电橡胶环的方式，这样电极导电橡胶环接触就相当于与镀金导电层接触。但是采用导电橡胶环后会导致两个导电橡胶环之间的晶体被完全封闭起来，导致其散热性能进一步下降，温度大幅上升从而影响整个开关的寿命，同时高温也会使导电橡胶环发生老化，也同样降低了其适用寿命；

为了克服上述问题，同时配合本实用新型中的方形DKDP晶体，发明人在与电极连接的方形晶体槽一侧设置有台阶结构，所述台阶结构内设置有簧片，当方形DKDP晶体安装完成后，可将簧片，优选“Z”字形放置到台阶结构上，这样当安装好电极后，簧片的一端与电极接触，另一端与镀金导电层接触，从而使二者电连接，这样方形DKDP晶体外侧不需要附设任何物质，提高了其散热性能，且簧片的弹性可以确保两者稳定接触不受外界环境的影响，同时台阶结构也给了簧片足够的散热空间，延长了其使用寿命。

综上所述，采用这种结构的电光Q开关，改变了现有技术中必须采用圆柱形晶体的现状，可以采用方形DKDP晶体，使得整个电光Q开关的能量等级提高，功率也得到了大幅提升，且解决了晶体散热的问题。

附图说明

图1为本实用新型所述电光Q开关的结构示意图；

图2为本实用新型所述电光Q开关的俯视图；

图3为本实用新型所述电光Q开关的结构剖视图；

图中1为圆筒形壳体，2为电极，3为台阶结构，4为方形晶体槽，5为安装槽，6为簧片。

具体实施方式