[实用新型]基于电压非线性元件的欠电压检测开关电路

权利要求书

1.基于电压非线性元件的欠电压检测开关电路，其特征在于包括第一半导体开关元件、第二半导体开关元件、电压非线性元件、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器、第一稳压二极管、第二稳压二极管、第一电容器、第二电容器以及开关；所述第二电容器与第二稳压二极管并联，对应第二稳压二极管阴极的并联端与第二半导体开关元件的控制极或栅极相连，对应第二稳压二极管阳极的并联端与第二半导体开关元件的阴极或源极相连；电压非线性元件与第四电阻器串联后一端与开关的一端连接，另一端与第二半导体开关元件的控制极或栅极相连；第一电阻器的一端与开关的一端相连，另一端与第二半导体开关元件的阳极或漏极相连；第二电阻器的一端与第二半导体开关元件的阳极或漏极相连，另一端与第二半导体开关元件的阴极或源极相连；第三电阻器的一端与第二半导体开关元件的阳极或漏极相连，另一端与第一半导体开关元件的控制极或栅极相连；第一电容器与第一稳压二极管并联，对应第一稳压二极管阴极的并联端与第一半导体开关元件的控制极或栅极相连，对应第一稳压二极管阳极的并联端与第一半导体开关元件的阴极或源极相连；负载一端与第一半导体开关元件的阳极或漏极相连，另一端与开关的一端连接；开关的另一端与电源一端连接，电源的另一端与第一半导体开关元件的阴极或源极相连；第一半导体开关元件的阴极或源极与第二半导体开关元件阴极或源极相连。

2.根据权利要求1所述的基于电压非线性元件的欠电压检测开关电路，其特征在于，所述第一半导体开关元件和第二半导体开关元件都为单向可控硅、双向可控硅或场效应管；当第一半导体开关元件和第二半导体开关元件都为单向可控硅时，第一半导体开关元件和第二半导体开关元件分别为第一单向可控硅和第二单向可控硅。

3.根据权利要求1所述的基于电压非线性元件的欠电压检测开关电路，其特征在于，所述电压非线性元件为压敏电阻或半导体瞬态电压抑制元件。

4.根据权利要求2所述的基于电压非线性元件的欠电压检测开关电路，其特征在于，所述第一电阻器和第二电阻器组成分压器；当第二单向可控硅不导通时，第二电阻器上的分压大于第一单向可控硅的触发电压。

5.根据权利要求1所述的基于电压非线性元件的欠电压检测开关电路，其特征在于，所述第三电阻器的阻值是第二电阻器的阻值的10倍。

6.根据权利要求2所述的基于电压非线性元件的欠电压检测开关电路，其特征在于，所述第一单向可控硅的耐压指标大于电源电压峰值的2.0倍。

7.根据权利要求6所述的基于电压非线性元件的欠电压检测开关电路，其特征在于，所述第一单向可控硅选取耐压指标大于800V的可控硅；第二单向可控硅选取耐压指标大于25V的可控硅。

8.根据权利要求3所述的基于电压非线性元件的欠电压检测开关电路，其特征在于，所述半导体瞬态电压抑制元件为双向半导体瞬态抑制二极管。

9.根据权利要求8所述的基于电压非线性元件的欠电压检测开关电路，其特征在于，所述双向半导体瞬态抑制二极管的导通电压为250V。

10.根据权利要求3所述的基于电压非线性元件的欠电压检测开关电路，其特征在于，所述压敏电阻为氧化锌压敏电阻，氧化锌压敏电阻的压敏电压为240V。