[实用新型]一种化合物原位合成连续晶体生长的VGF高压炉有效
| 申请号： | 201620182638.6 | 申请日： | 2016-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN205398768U | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 孙聂枫;王阳;王书杰;刘惠生;孙同年 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 原位 合成 连续 晶体生长 vgf 高压 | ||
【说明书】：
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