[发明专利]磁传感器

权利要求书

1.一种用于感测电路变化的传感器电路，所述传感器电路包括：

永磁体或电磁体，用于产生磁场；

感测系统，包括一个或多个磁传感器，所述一个或多个磁传感器被配置用于在至少一个方向感测所述磁场，以及用于提供表示至少一个方向上所感测到的磁场的输出信号，以及

控制器，用于通过以下操作来检测事件：将所述输出信号与参照数据作比较，所述参照数据包括针对所述磁场的至少一个方向的关闭参照范围，所述关闭参照范围具有在所述关闭参照范围内的上边界和下边界，其中所述上边界和所述下边界是磁性单极的；以及评估所述输出信号是否落在具有所述上边界和所述下边界的所述关闭参照范围内，使得当所述输出信号落在所述关闭参照范围之外时，由外部场导致的外部扰动被检测到。

2.根据权利要求1所述传感器电路，其特征在于，所述传感器电路包括用于感测电路断路的传感器电路。

3.根据权利要求1或2所述的传感器电路，其特征在于，所述参照数据包括不止一个方向，关闭参照范围具有在所述关闭参照范围内的上边界和下边界，其中所述上边界和所述下边界是磁性单极的。

4.根据权利要求1或2所述的传感器电路，其特征在于，所述控制器被进一步适配用于动态调整所述参照数据至使用中的感测系统的情况。

5.根据权利要求1或2所述的传感器电路，其特征在于，所述关闭参照范围的所述上边界和所述下边界可由用户在工厂级别或运行时级别可编程地设置。

6.根据权利要求1或2所述的传感器电路，其特征在于，用于在至少一个方向上感测所述磁场的所述感测系统是用于感测至少二维磁场的感测系统。

7.根据权利要求1或2所述的传感器电路，其特征在于，用于在至少一个方向上感测所述磁场的所述感测系统是用于感测三维磁场的感测系统。

8.根据权利要求1或2所述的传感器电路，其特征在于，用于感测磁场的所述感测系统具有增益调节，所述增益调节补偿系统中采用的随温度的所述永磁体的剩磁变化。

9.根据权利要求1或2所述的传感器电路，其特征在于，所述感测系统包括用于感测二维或三维磁场的单个传感器。

10.根据权利要求1或2所述的传感器电路，其特征在于，所述传感器电路包括电源单元，其被配置用于以可编程时间间隔自动激活磁测量，而不需要在每次测量之前的外部触发。

11.根据权利要求1或2所述的传感器电路，所述传感器电路进一步包括RF接收机，其中所述感测系统被配置用于使用从RF接收机至磁感测系统的触发来记忆所述传感器电路的磁环境，和/或所述传感器电路包括RF发射机，其中所述感测系统被配置用于发送由所述感测系统的一个或多个传感器检测到的事件。

12.根据权利要求11所述传感器电路，其特征在于，RF接收机和RF发射机被组合在单个RF收发机中和/或与所述传感器元件之一组合。

13.根据权利要求1或2所述的传感器电路，其特征在于，所述一个或多个磁传感器被配置用于测量电源电压以及用于发送用于指示本地供电源的低能量状态的控制信号。

14.根据权利要求1或2所述的传感器电路，其特征在于，所述传感器电路被配置用于数字地或以模拟方式将来自所述感测系统的感测信号与阈值作比较。

15.根据权利要求14所述的传感器电路，所述传感器电路包括中断器，其中来自所述感测系统的感测信号与阈值的比较的输出被直接连接到所述中断器。