[发明专利]一种平板式结构高场不对称波形离子迁移谱联用仪

权利要求书

1.一种平板式结构高场不对称波形离子迁移谱联用仪，其特征在于：包括高场不对称波形离子迁移管(1)，所述的高场不对称波形离子迁移管(1)内设有离子源(2)、第一分离区、第二分离区、偏置电极(3)及弱电流检测电极(4)，所述的第一分离区由第一离子分离电极(5)及第二离子分离电极(6)构成，且第一离子分离电极(5)与预分离电压源(7)相连，第二离子分离电极(6)与直流电压源(8)相连，所述的第二分离区由第三离子分离电极(9)及第四离子分离电极(10)构成，且第三离子分离电极(9)与分离电压源(11)相连，第四离子分离电极(10)与直流扫描电压源(12)相连，所述的偏置电极(3)与偏置电压源(13)相连，所述的弱电流检测电极(4)与弱电流探测器(14)相连；所述的第一分离区与第二分离区、第二分离区与偏置电极(3)及弱电流检测电极(4)之间分别设有屏蔽电极(15)，所述的屏蔽电极(15)与屏蔽电极系统(16)相连；所述的第一离子分离电极(5)与第三离子分离电极(9)、第二离子分离电极(6)与第四离子分离电极(10)、第三离子分离电极(9)与偏置电极(3)、第四离子分离电极(10)与弱电流检测电极(4 )之间分别设有屏蔽电极(15)。

2.根据权利要求1所述的平板式结构高场不对称波形离子迁移谱联用仪，其特征在于：所述的离子源(2)为真空紫外灯，所述的离子源(2)固定在离子源基板(17)上。

3.根据权利要求2所述的平板式结构高场不对称波形离子迁移谱联用仪，其特征在于：所述的离子源基板(17)采用氟化镁透紫外光玻璃或高硼硅BF33玻璃制成。

4.根据权利要求1所述的平板式结构高场不对称波形离子迁移谱联用仪，其特征在于：所述的高场不对称波形离子迁移管(1)设有进风口(19)和出风口(20)，所述的离子源(2)位于进风口(19)的上端，所述的出风口(20)处设有气泵。

5.根据权利要求1所述的平板式结构高场不对称波形离子迁移谱联用仪，其特征在于：所述的第一离子分离电极(5)、第二离子分离电极(6)、第三离子分离电极(9)、第四离子分离电极(10)、偏置电极(3)以及弱电流检测电极(4)分别固定在支撑梁(18)上。

6.根据权利要求5所述的平板式结构高场不对称波形离子迁移谱联用仪，其特征在于：所述的支撑梁(18)由陶瓷或玻璃制成。

7.根据权利要求6所述的平板式结构高场不对称波形离子迁移谱联用仪，其特征在于：所述的第一离子分离电极(5)、第二离子分离电极(6)、第三离子分离电极(9)、第四离子分离电极(10)、偏置电极(3)及弱电流检测电极(4)采用厚膜工艺印刷银浆于陶瓷上。

8.根据权利要求6所述的平板式结构高场不对称波形离子迁移谱联用仪，其特征在于：所述的第一离子分离电极(5)、第二离子分离电极(6)、第三离子分离电极(9)、第四离子分离电极(10)、偏置电极(3)及弱电流检测电极(4)采用磁控溅射工艺溅射靶材金于玻璃上。