[发明专利]石墨烯薄膜的衬底转移方法

权利要求书

1.一种石墨烯薄膜的衬底转移方法，其特征在于，所述衬底转移方法包括以下步骤：

步骤1：在石墨烯薄膜表面旋涂一层有机胶体形成有机胶体层，所述石墨烯薄膜生长在具有金属催化剂层的基片材料上；

步骤2：将表面旋涂有机胶体层的石墨烯薄膜在80℃～185℃下烘干坚膜1分钟～1小时；

步骤3：在烘干坚膜后的石墨烯薄膜的有机胶体层的表面上粘附一层胶带形成胶带层，所述胶带层的两端未粘附在有机胶体层上；

步骤4：将粘附有胶带层的石墨烯薄膜浸入腐蚀溶液中；

步骤5：在腐蚀溶液中将胶带层夹起，被夹起的胶带层会将粘附的有机胶体层、石墨烯薄膜以及金属催化剂层一并从基片材料上分离；

步骤6：在金属催化剂层被腐蚀溶液完全腐蚀掉后，从腐蚀液中夹出胶带层及其粘附的有机胶体层和石墨烯薄膜，转移到去离子水中反复清洗，直至去除其上残留的腐蚀溶液；

步骤7：将经清洗后的胶带层及其粘附的有机胶体层和石墨烯薄膜均匀铺展在目标衬底上，利用未粘附在有机胶体层上的胶带层将石墨烯薄膜固定在目标衬底上，使石墨烯薄膜向下，面向目标衬底，胶带层在上，使石墨烯薄膜与目标衬底紧贴在一起，然后对其进行晾干处理，在石墨烯薄膜与目标衬底紧贴在一起后采用垂直设置的方式进行晾干，在自然晾干的时候，通过风机对石墨烯薄膜进行吸风处理，风机从下往上对石墨烯薄膜进行吸风；

步骤8：对晾干处理后的石墨烯薄膜与目标衬底再在30℃～50℃下烘干直至胶带层、有机胶体层和石墨烯薄膜上吸附的水分完全蒸发；

步骤9：去除胶带层，使石墨烯薄膜上只存在有机胶体层；

步骤10：将目标衬底及其上边的石墨烯薄膜和有机胶体层放入去胶溶液中浸泡，去除石墨烯薄膜表面的有机胶体层，最终得到转移到目标衬底表面的石墨烯薄膜。

2.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜的衬底转移方法，其特征是：在自然晾干之前对石墨烯薄膜进行吸水处理。

3.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜的衬底转移方法，其特征是：在步骤1中使用的有机胶体为光刻胶、电子刻蚀胶或者聚二甲基硅氧烷。

4.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜的衬底转移方法，其特征是：所述步骤4中使用的腐蚀溶液为三氯化铁溶液、硝酸铁溶液、氢氟酸溶液、硝酸溶液或者盐酸溶液。

5.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜的衬底转移方法，其特征是：所述步骤1中的金属催化剂层的成分为镍或者铜。

6.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜的衬底转移方法，其特征是：所述步骤7中使用的目标衬底为半导体衬底、氧化物衬底、塑料衬底或者有机玻璃衬底。

7.根据权利要求1所述的石墨烯薄膜的衬底转移方法，其特征是：所述步骤9中使用的去胶溶液为丙酮、乙醇或者异丙醇。