[发明专利]一种基坑监测采集器以及系统

权利要求书

1.一种基坑监测采集器，其特征在于，包括：采集模块、处理模块、电源模块和光电隔离模块；

其中，所述基坑监测采集器的所述采集模块与基坑中的多个传感器连接；

所述处理模块用于接收采集指令产生控制信号，并发送至所述采集模块；

所述采集模块用于根据所述控制信号对基坑中对应的一所述传感器产生激励信号，并采集所述传感器的检测信号；

所述处理模块还用于接收所述采集模块发送的所述检测信号，并处理生成基坑参数信号；

所述电源模块用于为所述采集模块和所述处理模块提供电源信号；

所述采集模块包括：通道选择电路、选频放大电路以及激振电路；

所述通道选择电路用于根据所述控制信号控制所述选频放大电路以及激振电路与基坑中对应的所述传感器连接；

所述激振电路用于对与之连接的所述传感器的钢弦起振；

所述选频放大电路用于将与之连接的所述传感器的钢弦起振所产生的所述检测信号进行放大滤波处理；

所述光电隔离模块，所述光电隔离模块分别与所述通道选择电路、所述选频放大电路、所述激振电路以及所述处理模块连接，用于将所述控制信号和所述检测信号进行电气隔离；

所述光电隔离模块包括多个第一类型光电耦合器、一第二类型光电耦合器以及一第三类型光电耦合器；所述第一类型光电耦合器、第二类型光电耦合器以及第三类型光电耦均包括发光二级管、光敏三极管和上拉电阻；

其中，所述第一类型光电耦合器中的所述发光二极管的输入端与所述处理模块连接；所述第一类型光电耦合器中的所述发光二极管的输出端与数字电路接地端连接；所述第一类型光电耦合器中的所述光敏三极管的发射极与模拟电路接地端连接；所述第一类型光电耦合器中的所述上拉电阻一端与所述第一类型光电耦合器中的所述光敏三极管的集电极连接；所述第一类型光电耦合器中的所述上拉电阻的另一端与所述通道选择电路连接；

所述第二类型光电耦合器中的所述发光二极管的输入端与所述选频放大电路连接；所述第二类型光电耦合器中的所述发光二极管的输出端与模拟电路接地端连接；所述第二类型光电耦合器中的所述光敏三极管的发射极与数字电路接地端连接；所述第二类型光电耦合器中的所述上拉电阻一端与所述第二类型光电耦合器中的所述光敏三极管的集电极连接；所述第二类型光电耦合器中的所述上拉电阻的另一端与所述处理模块连接；

所述第三类型光电耦合器中的所述发光二极管的输入端与所述处理模块连接；所述第三类型光电耦合器中的所述发光二极管的输出端与数字电路接地端连接；所述第三类型光电耦合器中的所述光敏三极管的发射极与模拟电路接地端连接；所述第三类型光电耦合器中的所述上拉电阻一端与所述第三类型光电耦合器中的所述光敏三极管的集电极连接；所述第三类型光电耦合器中的所述上拉电阻的另一端与所述激振电路连接；

所述通道选择电路包括通道选择芯片；所述通道选择芯片包括控制信号输入端、公共输入端；

其中，所述控制信号输入端与所述光电隔离模块中第一类型光电耦合器的所述光敏三极管的集电极连接；

所述公共输入端与所述激振电路、所述选频放大电路连接；

所述电源模块包括：主电源和电源隔离模块；

所述主电源分别与外部电源信号线、所述电源隔离模块以及所述处理模块连接；

所述电源隔离模块还与所述采集模块连接，用于将所述主电源提供的电源信号与外部电源信号隔离。

2.根据权利要求1所述的基坑监测采集器，其特征在于，所述电源隔离模块包括电源隔离芯片，所述电源隔离芯片包括正电压输出端、负电压输出端、模拟电路接地端、目标电压输入端、器件接地端；

其中，所述正电压输出端与所述采集模块连接；

所述负电压输出端与所述采集模块连接；

所述目标电压输入端与所述主电源连接。

3.根据权利要求1所述的基坑监测采集器，其特征在于，所述处理模块包括：

处理单元、接口单元、存储单元和数字电源；

所述处理单元用于接收所述采集模块发送的所述检测信号，并处理生成基坑参数信号；

所述接口单元与外部总线连接，用于将所述基坑参数信号发送至所述采集指令的发送方；

所述存储单元，用于存储所述基坑参数信号；

所述数字电源分别与所述处理单元、所述接口单元以及所述存储单元连接，用于为所述处理单元、所述接口单元以及所述存储单元提供工作电压。