[发明专利]射频前端装置有效
申请号: | 201611244926.0 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN108270463B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 周玉花;吴文伟;张勇 | 申请(专利权)人: | 联芯科技有限公司;大唐半导体设计有限公司 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40;H04B1/18 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆;胡彬 |
地址: | 200233 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 前端 装置 | ||
1.一种射频前端装置,包括第一滤波器(110),其特征在于,还包括:耦合器(120)和限幅器(130);
所述耦合器(120)的输入端与所述第一滤波器(110)的输出端相连,所述耦合器(120)的输出端与所述限幅器(130)的输入端相连,所述限幅器(130)的输出端与射频芯片(2)的第一接收信号输入端相连,所述耦合器(120)的耦合端与射频芯片(2)的第二接收信号输入端相连;
所述第一滤波器(110)将输入的射频接收信号进行滤波后形成的第一滤波信号输出至所述耦合器(120),所述耦合器(120)将输入的所述第一滤波信号输出至所述限幅器(130),所述限幅器(130)将输入的所述第一滤波信号进行限幅后形成的限幅信号输出至所述射频芯片(2),由所述耦合器(120)、所述限幅器(130)和所述射频芯片(2)组成第一接收通路的前端通路;所述耦合器(120)将输入的所述第一滤波信号进行耦合后形成的耦合信号输出至所述射频芯片(2),由所述耦合器(120)和所述射频芯片(2)组成第二接收通路的前端通路。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:天线(140)和开关(150);
所述天线(140)与所述开关(150)的公共端口相连,所述开关(150)的第一闭合端口与所述第一滤波器(110)的输入端相连;
所述天线(140)用于将接收的所述射频接收信号输出至所述开关(150),所述开关(150)的第一闭合端口将所述射频接收信号输出至所述第一滤波器(110)。
3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,还包括:第二滤波器(160)和功率放大器(170);
所述射频芯片(2)的发射信号输出端与所述功率放大器(170)的输入端相连,所述功率放大器(170)的输出端与所述第二滤波器(160)的输入端相连,所述第二滤波器(160)的输出端与所述开关(150)的第二闭合端口相连;
所述射频芯片(2)将射频发射信号输出至所述功率放大器(170),所述功率放大器(170)将输入的所述射频发射信号经过放大后形成的放大信号输出至所述第二滤波器(160),所述第二滤波器(160)将输入的所述放大信号进行滤波后形成的第二滤波信号输出至所述开关(150),所述开关(150)的公共端口输出所述第二滤波信号至所述天线(140)。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置,其特征在于,还包括:
所述耦合器(120)的隔离端与负载相连。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,还包括:
所述射频芯片(2)与基带芯片(3)相连;
所述射频芯片(2)的第一基带信号输出端将所述限幅信号经过处理后形成的基带限幅信号输出至所述基带芯片(3)的第一基带信号输入端,所述射频芯片(2)的第二基带信号输出端将所述耦合信号经过处理后形成的基带耦合信号输出至所述基带芯片的第二基带信号输入端。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述负载包括电阻。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述电阻的阻值为50欧姆。
8.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述耦合器(120)的耦合度为30dB。
9.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述耦合器(120)的耦合度为33dB。
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