[发明专利]液晶显示面板及其驱动方法有效
申请号: | 201611217396.0 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN107068073B | 公开(公告)日: | 2019-05-17 |
发明(设计)人: | 廖木山;阎金波 | 申请(专利权)人: | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210033 江苏省南京市仙林大道科*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 液晶显示面板 源极驱动芯片 控制信号 电路并联连接 接收控制信号 电平转换器 数据线信号 驱动 电路功能 时序动作 通道连接 侦测电路 侦测信号 比对 潮汐 输出 配合 | ||
本发明提供一种液晶显示面板及其驱动方法,其包括源极驱动芯片,所述源极驱动芯片包括:多个通道、与该多个通道连接的第一电路、以及与该第一电路并联连接的第二电路和第三电路,所述第二电路上设有第一TFT开关,所述第二电路上设有第二TFT开关。本发明在源极驱动芯片增加控制控制信号XON的电路,通过侦测信号TP和控制信号XON配合,根据TFT开关时序动作,输出VCOM电压和数据线信号;本发明针对GIP液晶显示面板要求其GIP电路具备XON电路功能,电平转换器接收控制信号XON做解潮汐;本发明设定独立侦测电路,其中比对电压要设定为一个固定值。
技术领域
本发明属于液晶显示技术领域,尤其涉及一种液晶显示面板及其驱动方法。
背景技术
IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)为氧化铟镓锌的缩写,它是一种薄膜电晶体技术,在TFT-LCD的栅极绝缘层上溅射一层金属氧化物。IGZO与非晶质硅(a-Si)材料相比,电子迁移率较a-Si TFT快20到50倍,IGZO使用铟、镓、锌、氧气,取代了传统的a-Si现用图层,可以大大降低液晶屏幕的响应时间,缩小电晶体尺寸,提高液晶面板画素的开口率,较易实现高精细化,由此将简单的外部电路整合至面板之中,使移动装置更轻薄,耗电量也降至之前的三分之二。采用a-SI、LTPS(低温多晶硅技术)、IGZO的TFT I-V特性比对如图1所示。
IGZO TFT与a-Si TFT相比,导通电流高约20倍:由于可将TFT减小至约1/4,因此可通过提高,面板开口率降低耗电并实现像素高精细化。
IGZO TFT分别与a-Si TFT和LTPS TFT相比,截止漏电流只有不到1pA:即使减少TFT的驱动次数,也可维持液晶分子的配向,因此可将面板单体的耗电量减至1/5至1/10。
观察图1所示的IGZO-TFT的V-I特性,发现不仅导通性能优异,同时截止特性也特优异。现有液晶面板中使用非晶硅形成的TFT的截止特性不好,因此断电后像素内的电荷能快速通过TFT释放,故不会形成特别的像素电荷残留的问题。但是由于IGZO的TFT的截止特性特优异,这样就会导致当采用IGZO技术的面板断电后像素电荷不会快速经由TFT释放,其结果就是电荷长时间残留在面板内部,导致关机画面出现残影和下次开机闪屏的现象。若面板画素电荷无法释放,面板就会出现残影问题,现象如图2所示。
发明内容
本发明的目的在于提供一种关机时加快电荷释放速度的液晶显示面板及其驱动方法。
本发明提供一种液晶显示面板,其包括源极驱动芯片,所述源极驱动芯片包括:多个通道、与该多个通道连接的第一电路、以及与该第一电路并联连接的第二电路和第三电路,所述第二电路上设有第一TFT开关,所述第二电路上设有第二TFT开关。
优选地,还包括输出控制信号XON至所述源极驱动芯片的侦测电路,所述控制信号XON输入至所述第一TFT开关。
优选地,还包括输出电压VCOM和侦测信号TP至所述源极驱动芯片的时序控制芯片,所述侦测信号TP输入至所述第二TFT开关,所述输出电压VCOM输入至所述第二电路。
优选地,还包括接收所述控制信号XON和侦测信号TP的电平转换器。
优选地,还包括位于液晶显示面板左边的左GIP电路、以及位于液晶显示面板右边的右GIP电路。
优选地,还包括金属氧化物半导体层,其为铟镓锌组成的金属氧化物。
本发明还提供液晶显示面板的驱动方法,包括如下步骤:
第一步:液晶显示面板开机时,时序控制器芯片工作,侦测电路输出高电平控制信号XON至第一TFT开关,第一TFT开关打开;
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