[发明专利]SWG桥接耦合器件、参数确定方法及装置在审
| 申请号： | 201611200505.8 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108227080A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 沈百林;方舟 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/34 | 分类号： | G02B6/34 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 江舟;董文倩 |
| 地址： | 518057 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波导 桥接 亚波长光栅 有效折射率 参数确定 耦合器件 加工精度要求 耦合连接 低损耗 | ||
1.一种亚波长光栅SWG桥接耦合器件，其特征在于，包括：第一SWG、第二SWG和波导；
其中，所述第二SWG为桥接SWG，设置于所述第一SWG和所述波导之间；
所述第一SWG的有效折射率和所述第二SWG的有效折射率之差小于预定阈值。
2.根据权利要求1所述的SWG桥接耦合器件，其特征在于，所述第一SWG的占空比大于所述第二SWG的占空比。
3.根据权利要求1或2所述的SWG桥接耦合器件，其特征在于，所述SWG桥接耦合器件还包括：过渡部分；其中，所述过渡部分包括：第一边缘波导、第二边缘波导、以及所述第一边缘波导与所述第二边缘波导之间的间隔；其中，所述第一边缘波导为所述第一SWG中与所述第二SWG相邻的波导，所述第二边缘波导为所述第二SWG中与所述第一SWG相邻的波导；
其中，所述第一SWG的有效折射率和所述第二边缘波导的有效折射率之差小于所述预定阈值。
4.根据权利要求3所述的SWG桥接耦合器件，其特征在于，在横电TE模信号和横磁TM模信号都耦合的情况下，所述TE模信号的有效折射率差小于所述TM模信号的有效折射率差；
其中，所述TE模信号的有效折射率差为所述第一SWG的TE模信号的有效折射率与所述第二边缘波导的TE模信号的有效折射率之差；所述TM模信号的有效折射率差为所述第一SWG的TM模信号的有效折射率与所述第二边缘波导的TM模信号的有效折射率之差。
5.根据权利要求4所述的SWG桥接耦合器件，其特征在于，所述TE模有效折射率差小于0.15，所述TM模有效折射率差小于0.05。
6.根据权利要求3所述的SWG桥接耦合器件，其特征在于，在横电TE模信号耦合的情况下，所述TE模信号的有效折射率差小于0.01；或在横磁TM模信号耦合的情况下，所述TM模信号的有效折射率差小于0.01。
7.一种参数确定方法，其特征在于，包括：
获取第一SWG和第二SWG的有效折射率；
判断所述第一SWG的有效折射率与所述第二SWG的有效折射率之差是否小于预定阈值；
在判断结果为是的情况下，确定过渡部分的参数；所述过渡部分包括：第一边缘波导、第二边缘波导、以及所述第一边缘波导与所述第二边缘波导之间的间隔；其中，所述第一边缘波导为所述第一SWG中与所述第二SWG相邻的波导，所述第二边缘波导为所述第二SWG中与所述第一SWG相邻的波导。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，
所述获取第二SWG的有效折射率包括：获取所述第二边缘波导的有效折射率；
所述判断所述第一SWG的有效折射率与所述第二SWG的有效折射率之差是否小于预定阈值包括：判断所述第一SWG的有效折射率与所述第二边缘波导的有效折射率之差是否小于所述预定阈值。
9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述确定过渡部分的参数包括以下至少之一：
确定所述第一边缘波导与所述第二边缘波导之间的间隔；
确定所述第一边缘波导的长度或者宽度；
确定所述第二边缘波导的长度或宽度；
确定所述第一SWG中与所述第一边缘波导相邻的波导和所述第一边缘波导之间的间隔；
确定所述第二SWG中与所述第二边缘波导相邻的波导和所述第二边缘波导之间的间隔。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在确定过渡部分的参数之前，所述方法还包括：
确定所述第二SWG的长度。
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