[发明专利]MTD雷达的通道级杂波抑制方法有效
申请号: | 201611195159.9 | 申请日: | 2016-12-22 |
公开(公告)号: | CN106772303B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 王旭;蔡兴雨;高剑;朱思桥;高恒;郗蕴天 | 申请(专利权)人: | 西安电子工程研究所 |
主分类号: | G01S7/41 | 分类号: | G01S7/41 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 刘新琼 |
地址: | 710100 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mtd 雷达 通道 级杂波 抑制 方法 | ||
1.一种MTD雷达通道级杂波抑制方法,其特征在于步骤如下:
步骤1:将序号i满足i/N∈Uf的多普勒通道定义为低通道,将序号i满足的多普勒通道定义为高通道;其中,Uf=[-αΩf,αΩf]为辅助通道覆盖区域,Ωf为杂波谱宽度,α为扩展系数,其范围为1≤α≤1/(2Ωf),i=-N/2,…,N/2-1,N为脉冲积累数;
步骤2:以低通道作为辅助通道,依次以各高通道为主通道,在SNR损失约束和旁瓣约束下,以最小化剩余杂波功率为准则,通过如下模型求解对消权vi和对消系数βi:
其中,βi为对消系数,vi为对消权,其维数为K×1,G表示杂波数据矩阵,B表示低通道对应的滤波器系数矩阵,bi表示第i个多普勒通道对应的滤波器系数,di表示第i个多普勒通道对应的多普勒导向矢量,SLi表示旁瓣约束电平,SNRLoss(i)表示信噪比损失,表示第i个通道的旁瓣区域,si(η)表示序号为i的通道对应的旁瓣区域多普勒导向矢量,η表示位于旁瓣区域的多普勒频率;
步骤3:在SNR损失约束和旁瓣约束下,以最小化剩余杂波功率为准则,通过如下模型求解各低通道对应的杂波抑制权向量ui:
其中,ui为杂波抑制权向量,其维数为K×1,Ci表示序号为i的低通道对应的杂波数据矩阵,i/N∈Uf;
步骤4:对脉压后的N个脉冲回波,沿慢时间维进行N点加窗FFT,得到各多普勒通道的输出为xi,i=-N/2,…,N/2-1,定义低通道的输出为y=[x-(K-1)/2,…,x(K-1)/2]T,K为低通道个数,N-K为高通道个数;
步骤5:经过通道对消后,高通道的输出为
经过通道加权后,低通道的输出为
2.根据权利要求1所述的一种MTD雷达通道级杂波抑制方法,其特征在于步骤4所述的沿慢时间维进行N点加窗FFT,其中加窗FFT方式可以替换为MTI级联加窗FFT方式。
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