[发明专利]ROM存储器的字线绑缚方法及ROM存储器

说明书

本发明提供一种ROM存储器的字线绑缚方法及ROM存储器。所述方法包括：将各条字线的金属字线与多晶硅字线在绑缚点进行绑缚，其中任意相邻两条字线的绑缚点位于不同的节点。本发明将绑缚点从统一节点改成非统一节点，能够节省绑缚占用的面积。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种ROM存储器的字线绑缚方法及ROM存储器。

背景技术

ROM存储单元在形成阵列之后，同一条字线上的ROM存储单元的栅端会通过该字线连接在一起，由于ROM存储单元的栅端通常为多晶硅或特殊金属，因此该字线电阻较大，不利于字线的开启。所以通常在设计ROM时，会另外设计一条金属线作为字线，以减小电阻，然后每隔一段距离(视多晶硅的电阻大小而定)将金属字线与多晶硅字线连接在一起，这种连接称为“绑缚”。

如图1和图2所示，金属字线(Metal WL，Metal Word Line)在多晶硅字线(Poly SiWL，Poly Si Word Line)上层平行布线，每隔一段距离(图中是每隔两个ROM存储单元)通过连接孔将金属字线与多晶硅字线绑缚，所有的绑缚点都位于统一的节点。在传统的工艺条件下，由于绑缚点较少，并且每个绑缚点所占面积也较小，因此绑缚占用的面积相对于整个存储器来说，不会有太大影响。

但是随着工艺条件的进步，受到各种新的工艺规则(如Layout rule，布线规则)的限制，如图3所示，采用现有的字线绑缚方法，会占用存储器大量空间，绑缚所需要的面积在整个存储器中所占的比重越来越大，这对于存储器来说，是不能接受的。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种ROM存储器的字线绑缚方法及ROM存储器，能够节省绑缚占用的面积。

第一方面，本发明提供一种ROM存储器的字线绑缚方法，包括：

将各条字线的金属字线与多晶硅字线在绑缚点进行绑缚，其中任意相邻两条字线的绑缚点位于不同的节点。

可选地，在所述将各条字线的金属字线与多晶硅字线在绑缚点进行绑缚之前，所述方法还包括：

确定各条字线的金属字线与多晶硅字线的绑缚点，所述绑缚点满足设定的工艺规则。

可选地，所述各条字线的金属字线位于多晶硅字线的相邻层。

可选地，所述各条字线的金属字线的宽度由字线电阻决定。

第二方面，本发明提供一种ROM存储器，包括：字线，所述字线包括金属字线及多晶硅字线，各条字线的金属字线与多晶硅字线在绑缚点进行绑缚，其中任意相邻两条字线的绑缚点位于不同的节点。

可选地，所述各条字线的金属字线与多晶硅字线的绑缚点满足设定的工艺规则。

可选地，所述各条字线的金属字线位于多晶硅字线的相邻层。

可选地，所述各条字线的金属字线的宽度由字线电阻决定。

本发明提供的ROM存储器的字线绑缚方法及ROM存储器，对不同字线在不同的节点进行绑缚，使相邻字线的绑缚点错位开来，将绑缚点从统一节点改成非统一节点，穿插在存储阵列中间，利用存储单元之间的空隙进行绑缚，从而不必额外空出空间，特别在先进工艺下，绑缚点较多的情况下，能够节省绑缚占用的面积。

附图说明

图1为采用现有的字线绑缚方法绑缚的ROM存储器的剖面效果示意图；

图2为采用现有的字线绑缚方法绑缚的ROM存储器在传统工艺条件下的版图结构示意图；

图3为采用现有的字线绑缚方法绑缚的ROM存储器在先进工艺条件下的版图结构示意图；

图4为本发明一实施例提供的字线绑缚方法的流程图；