[发明专利]一种保护装置、供电装置及终端

说明书

技术领域

本发明涉及终端技术领域，尤其涉及一种保护装置、供电装置及终端。

背景技术

目前，手机防浪涌方案有3种：

方案1、在VBUS(USB电压)线路上对GND(地端)并联大功率浪涌管；

方案2、在VBUS线路上对GND并联OVP(Over Voltage Protection，过压保护)芯片；

方案3、在VBUS线路上对GND先并联大功率浪涌管，在大功率浪涌管后边再对GND并联OVP芯片。

现有技术的缺陷：

方案1、大功率浪涌管只对us(微秒)级别的浪涌电压或浪涌电流有防护作用，虽然峰值功率很高，但平均功率较低，遇到ms(毫秒)级别的直流高压时很快会烧毁，导致VBUS对GND短路，此时手机由于无法充电导致客退；

方案2、VBUS线路上有直流高压时，OVP芯片能够在100ns(纳秒)级别的时间内断开VBUS与后端PMU(Power Management Unit，电源管理单元)芯片的连接，保护后端芯片；但受限于OVP芯片的面积，其浪涌防护能力较弱；当出现较大的浪涌电压时，OVP芯片会烧毁，即OVP芯片对GND短路，亦即VBUS对GND短路，此时手机由于无法充电导致客退；

方案3、虽然具有较高的浪涌以及直流高压的防护能力，当VBUS线路上出现ms级别以上的直流高压时，OVP芯片会断开VBUS与后端芯片的连接，但OVP断开以后，如果VBUS上的直流高压依然存在，那么OVP前端的大功率浪涌也会很快烧毁而导致VBUS与GND的短路，此时手机由于无法充电导致客退。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是，提供一种保护装置、供电装置及终端，解决现有技术中，在出现浪涌或直流高压导致VBUS对GND短路，造成终端由于无法充电导致客退的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种保护装置，包括第一过压保护单元、浪涌保护单元和第二过压保护单元，第一过压保护单元、浪涌保护单元、第二过压保护单元以及待保护单元按照距离电源端VBUS由近到远的顺序依次并联在电源端VBUS和地端之间；

第一过压保护单元、第二过压保护单元分别用于加载在自身的直流电压等于或大于对应阈值时，保护并联在电源端VBUS和地端之间且距离电源端VBUS比自身更远的单元免受直流电压的影响；

浪涌保护单元用于加载在自身的电压或电流出现浪涌时，保护并联在电源端VBUS和地端之间且距离电源端VBUS比自身更远的单元免受浪涌的影响。

其中，第一过压保护单元对应的阈值与第二过压保护单元对应的阈值相等，或者第一过压保护单元对应的阈值大于第二过压保护单元对应的阈值。

其中，第一过压保护单元和第二过压保护单元中的至少一者包括OVP芯片。

其中，第一过压保护单元和第二过压保护单元中的至少一者还包括：两个电阻单元，其中一个电阻单元与OVP芯片并联，并联后的电路再与另一个电阻单元串联。

其中，第一过压保护单元包括：第一OVP芯片、第一电阻单元和第二电阻单元，第一电阻单元与第一OVP芯片并联，并联后的电路再与第二电阻单元串联；第二过压保护单元包括：第二OVP芯片、第三电阻单元和第四电阻单元，第三电阻单元与第二OVP芯片并联，并联后的电路再与第四电阻单元串联；第一OVP芯片与第二OVP芯片的保护电压相同。

其中，还包括：第五电阻单元、第六电阻单元、第一电容单元和/或第二电容单元，分别按照以下顺序依次并联在电源端VBUS和地端之间：第一电容单元、第五电阻单元、第一过压保护单元、浪涌保护单元、第二过压保护单元、第六电阻单元、第二电容单元、待保护单元。

其中，第一电容单元和第二电容单元的电容值之和小于6.5微法。

其中，浪涌保护单元包括浪涌管。

为解决上述技术问题，本发明提供一种供电装置，包括上述任一项的保护装置，还包括待保护单元，待保护单元包括电源管理单元。

为解决上述技术问题，本发明提供一种终端，包括终端本体以及上述的供电装置。