[发明专利]一种电子器件抗辐射性能测试方法和系统

权利要求书

1.一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)将被测电子器件与像素芯片平行放置，标定像素芯片与被测电子器件的空间相对位置；

2)将平行放置的被测电子器件和像素芯片置于束流中，将像素芯片面向所述束流发射方向，所述束流中的辐射粒子从所述像素芯片的一侧沿直线穿过，射入所述被测电子器件，所述像素芯片输出所述束流中的每个辐射粒子射入的位置和时间；

3)监测所述被测电子器件的工作状态，若所述被测电子器件出现单粒子效应，记录与所述单粒子效应发生时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的时间为特征时间，所述特征时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的位置为特征位置；

4)根据像素芯片与被测电子器件的相对位置关系，确定被测电子器件与所述像素芯片的特征位置相对应的位置，即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。

2.一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)将被测电子器件与像素芯片平行放置，标定像素芯片与被测电子器件的空间相对位置；

2)将平行放置的被测电子器件和像素芯片置于束流中，将被测电子器件面向所述束流发射方向，所述束流中的辐射粒子从所述被测电子器件的一侧沿直线穿过，射入所述像素芯片，所述像素芯片输出所述束流中的每个辐射粒子射入的位置和时间；

3)监测所述被测电子器件的工作状态，若所述被测电子器件出现单粒子效应，记录与所述单粒子效应发生时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的时间为特征时间，所述特征时间对应的所述辐射粒子射入所述像素芯片的位置为特征位置；

4)根据像素芯片与被测电子器件的相对位置关系，确定被测电子器件与所述像素芯片的特征位置相对应的位置，即为引发单粒子效应的辐射粒子射入被测电子器件的位置。

3.根据权利要求1所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述像素芯片厚度小于200微米。

4.根据权利要求2所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述被测电子器件厚度小于200微米。

5.根据权利要求1或2所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述像素芯片与所述被测电子器件的间距小于1厘米。

6.根据权利要求1或2所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述束流由加速器产生，所述束流的所有辐射粒子沿同一方向直线运动。

7.根据权利要求1或2所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述像素芯片为高能物理对撞机实验的顶点探测器芯片。

8.根据权利要求1或2所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述像素芯片和所述被测电子器件均为未封装的芯片。

9.根据权利要求1所述的一种电子器件抗辐射性能测试方法，其特征在于，所述被测电子器件和像素芯片通过固定装置平行放置，所述固定装置包括像素芯片绑定板(1.2)、被测器件读出板(1.4)、摄像头(1.8)和定位柱(1.6)，所述像素芯片绑定板和所述被测器件读出板通过定位柱平行固定；所述像素芯片绑定板上设有一个窗口，所述像素芯片(1.1)固定于像素芯片绑定板的窗口上，所述被测电子器件固定于被测器件读出板上与像素芯片相对应的位置；所述摄像头位于所述像素芯片绑定板或者被测器件读出板上，与所述摄像头相对的所述被测器件读出板或者像素芯片绑定板上印有与摄像头对应的光学标记；所述光学标记在与其对应的摄像头的拍摄范围以内。