[发明专利]存储装置有效

专利信息
申请号: 201611156442.0 申请日: 2016-12-14
公开(公告)号: CN107045462B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 赵容元;裴贤秀;林晓泽;李东栗;李鋧株;李太学 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;G11C29/42;G11C16/06;G06F3/06
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 胡江海;张川绪
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置
【说明书】:

一种存储装置。一种存储装置包括非易失性存储器装置和被配置为从非易失性存储器装置读取数据、将读取的数据划分成多个段以及针对所述多个段顺序执行错误校正解码的控制器。当每个段的错误校正解码被完成时,控制器将错误校正奇偶校验添加到多个解码的段中的每个解码的段,并将具有添加的错误校正奇偶校验的所述多个解码的段发送到外部主机装置。当第二段的错误校正解码在从发送错误校正解码被完成的第一段后过去了阈值时间之后未被完成时,控制器将不正确错误校正奇偶校验添加到虚拟数据,并将具有添加的不正确错误校正奇偶校验的虚拟数据发送到外部主机装置。

要求于2015年12月14日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0178369号韩国专利申请的优先权,所述韩国专利申请的全部公开通过引用包含于此。

技术领域

这里描述的发明构思涉及一种半导体存储器,更加具体地,涉及一种存储装置和其操作方法。

背景技术

存储装置可被称为在主机装置(诸如,计算机、智能电话和智能平板电脑等)的控制下存储数据的任何装置。硬盘驱动器(HDD)是能在磁盘上存储数据的存储装置。固态硬盘(SSD)和存储器卡等是在半导体存储器中存储数据的存储装置的示例。

非易失性存储器的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器装置、相变存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式存储器(RRAM)和铁电随机存取存储器(FRAM)等。

与存储装置进行通信的主机装置(诸如,计算机、智能电话和智能平板电脑等)的运行速度随着半导体制造技术发展而继续提高。在存储装置中使用和主机装置中使用的内容的量继续增加。出于这些原因,针对具有提高的运行速度的存储装置的需求已经连续地趋势向上。

发明内容

本发明构思的实施例提供一种保持可靠性的同时还具有提高的运行速度的存储装置及其操作方法。

本发明构思的实施例提供一种存储装置,所述存储装置包括:非易失性存储器装置;控制器,被配置为从非易失性存储器装置读取数据、将读取的数据划分成多个段以及针对所述多个段顺序执行错误校正解码。在确定每个段的错误校正解码的完成时,控制器被配置为将错误校正奇偶校验添加到多个解码的段中的每个解码的段,并将具有添加的错误校正奇偶校验的所述多个解码的段发送到外部主机装置。在确定第二段的错误校正解码在从第一段的错误校正解码和发送被完成时起过去了阈值时间之后未被完成时,控制器被配置为将不正确的错误校正奇偶校验添加到虚拟数据,并将具有添加的不正确的错误校正奇偶校验的虚拟数据发送到外部主机装置。

本发明构思的实施例提供一种存储装置,所述存储装置包括:多个存储集群;随机存取存储器;群控制器,被配置为控制所述多个存储集群。所述多个存储集群中的每个存储集群包括:多个非易失性存储器装置;控制器,被配置为从所述多个非易失性存储器装置中的每个非易失性存储器装置读取数据、将读取的数据划分成多个段以及针对所述多个段顺序执行错误校正解码。在确定每个段的错误校正解码的完成时,控制器被配置为将错误校正奇偶校验添加到多个解码的段中的每个解码的段,并将具有添加的错误校正奇偶校验的所述多个解码的段发送到群控制器。在确定第二段的错误校正解码在从第一段的错误校正解码和发送被完成时起过去了阈值时间之后未被完成时,控制器被配置为将不正确的错误校正奇偶校验添加到虚拟数据,并将具有添加的不正确的错误校正奇偶校验的虚拟数据发送到群控制器。

本发明构思的实施例提供一种存储装置的操作方法,其中,所述存储装置包括非易失性存储器装置和被配置为控制非易失性存储器装置的控制器。所述方法包括:在控制器处从非易失性存储器装置读取多个段;在控制器处针对多个段顺序执行错误校正解码;并将已经完成错误校正解码的每个段发送到外部主机装置。在控制器确定第二段的错误校正解码在从第一段被发送到外部主机装置时起过去了阈值时间之后未被完成时,将虚拟数据和不正确的错误校正奇偶校验发送到外部主机装置。

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