[发明专利]一种镀膜隔热反光石英热屏及其制备方法

说明书

本发明公开的一种镀膜隔热反光石英热屏，包括石英基底以及石英基底内表面镀设的一层银膜层，银膜层完全贴合设置有石英内衬。本发明还公开了上述镀膜隔热反光石英热屏的制备方法，包括步骤：制得石英基底；对石英基底的内表面进行镀银处理；将熔融状态的石英铺设于银膜层上冷却，即得本发明的石英热屏。本发明的一种镀膜隔热反光石英热屏的制备方法将高纯石英高温熔融后制成石英基底然后对其内表面进行镀银处理，再将熔融状态的石英铺设于银膜层上冷却后得到本发明的石英热屏，该石英热屏是双面反光结构，基底与银膜构成的反光面主要起到隔热作用，内衬与银膜构成的反光面主要起到反射作用，从而有效增大温度梯度，提高单晶生长速度。

技术领域

本发明属于单晶制造设备技术领域，具体涉及一种镀膜隔热反光石英热屏，还涉及一种镀膜隔热反光石英热屏的制备方法。

背景技术

在直拉法生产硅单晶工艺中，简要过程是先将原料装入单晶炉内的石英坩埚中，将炉体密闭后通入保护气，通过加热器将料块加热至1400℃左右熔化，经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾等操作完成拉晶过程，最后关闭加热器停炉。由于等直径生长在整个单晶制备过程中所有时间占比约为40％左右，因此提升等直径生长速度对提升直拉法单晶产能、降低直拉单晶制备成本尤为重要。

等直径生长的速度与直拉法单晶热场温度梯度关系密切，热场温度梯度越大，理论上等直径生长速度越快，热场温度梯度越小，理论上等直径生长速度越慢，直拉法单晶成晶界面以上的热量能否被及时带走直接影响单晶等直径生长的速度，若这部分热量无法被及时带走，等直径生长速度就会降低，反之等直径生长速度升高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种镀膜隔热反光石英热屏，可以有效增大温度梯度，提高单晶生长速度。

本发明的目的还在于提供一种镀膜隔热反光石英热屏的制备方法。

本发明所采用的一种技术方案是：一种镀膜隔热反光石英热屏，包括石英基底以及石英基底内表面镀设的一层银膜层，银膜层完全贴合设置有石英内衬，石英基底和石英内衬的形状与单晶炉内石墨热屏内胆形状相适应。

本发明的特点还在于，

石英基底和石英内衬的厚度为3mm-5mm。

银膜层的厚度为0.03mm-0.06mm。

本发明所采用的另一种技术方案是：如上所述的镀膜隔热反光石英热屏的制备方法，包括以下步骤：

第一步，将石英砂经过高温熔融后制成透明的石英基底；

第二步，对石英基底的内表面进行镀银处理后在石英基底的内表面形成一层银膜层；

第三步，将石英砂高温融化到熔融状态后铺设于银膜层上，冷却后形成石英内衬。

本发明的特点还在于，

在第三步中石英内衬在冷却过程中，当石英内衬与银膜层之间出现气泡时，用其进行抽真空处理以去除气泡。

本发明的有益效果是：本发明的一种镀膜隔热反光石英热屏的制备方法将高纯石英高温熔融后分别制成石英基底然后对其内表面进行镀银处理，再将熔融状态的石英铺设于银膜层上冷却后得到本发明的镀膜隔热反光石英热屏，该石英热屏是双面反光结构，基底与银膜构成的反光面主要起到隔热作用，内衬与银膜构成的反光面主要起到反射作用，从而有效增大温度梯度，提高单晶生长速度，而且由于银膜层包裹于石英材质内可以避免高温下银金属元素扩散出来污染原料及石墨热屏。

附图说明

图1是本发明的一种镀膜隔热反光石英热屏的结构示意图。

图中，1.石英基底，2.石英内衬，3.银膜层。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。