[发明专利]低漏电的电解电容器

权利要求书

1.一种低漏电的电解电容器，其特征在于，所述低漏电的电解电容器包括：

一卷绕式电容器组件，所述卷绕式电容器组件包括一阳极箔、一阴极箔及一配置于所述阳极箔与所述阴极箔之间的隔离膜；

一混成式导电介质，所述混成式导电介质含浸于所述卷绕式电容器组件中，所述混成式导电介质包含导电性高分子、离子液体、难挥发溶剂及浓度范围介于10至10000ppm之间的碱金属或碱土金属离子，其中，所述难挥发溶剂占所述混成式导电介质的0.5至50wt％之间，所述离子液体具有如化学式(1)至(9)所示的任意一种或一种以上的阳离子团以及化学式(10)至(17)所示的任意一种或一种以上的阴离子团，阴离子团和阳离子团的莫耳比例应符合阴离子团/阳离子团＝0.9～2：

其中，R1-R8各自独立为氢原子、经取代或未取代的C1-C10烷基、经取代或未取代的C2-C10烯基、经取代或未取代的C2-C10炔基、经取代或未取代的芳基、经取代或未取代的杂芳基、酰基、酯基、醚基或胺基；及

一封装体，所述封装体包覆所述卷绕式电容器组件及所述混成式导电介质。

2.根据权利要求1所述的低漏电的电解电容器，其特征在于，所述导电性高分子为聚3,4-乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸、聚噻吩、聚乙炔、聚苯胺或聚吡咯。

3.根据权利要求1所述的低漏电的电解电容器，其特征在于，所述导电性高分子占所述混成式导电介质的1.0至20.0wt％之间，所述离子液体占所述混成式导电介质的0.05至30.0wt％之间。

4.根据权利要求1所述的低漏电的电解电容器，其特征在于，所述难挥发溶剂包含聚烷撑二醇、聚烷撑二醇的衍生物、聚乙二醇、聚乙二醇的衍生物、聚丙二醇、聚丙二醇的衍生物、聚丁二醇、聚丁二醇的衍生物、乙二醇与丙二醇的共聚物、乙二醇与丁二醇的共聚物及丙二醇与丁二醇的共聚物中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的低漏电的电解电容器，其特征在于，所述混成式导电介质还包含碳填料，且所述碳填料占所述混成式导电介质的0至5wt％之间。

6.根据权利要求5所述的低漏电的电解电容器，其特征在于，所述碳填料包含纳米碳管及石墨烯。

7.一种低漏电的电解电容器，其特征在于，所述低漏电的电解电容器包括：

一基材层，所述基材层包括一阳极部及一阴极部；及

一导电层，所述导电层被覆在所述阴极部的表面上，所述导电层包含导电性高分子、离子液体、难挥发溶剂及浓度范围介于10至10000ppm之间的碱金属或碱土金属离子，其中，所述难挥发溶剂占所述导电层的0.5至50wt％之间，所述离子液体具有如化学式(1)至(9)所示的任意一种或一种以上的阳离子团以及化学式(10)至(17)所示的任意一种或一种以上的阴离子团，阴离子团和阳离子团的莫耳比例应符合阴离子团/阳离子团＝0.9～2：

其中，R1-R8各自独立为氢原子、经取代或未取代的C1-C10烷基、经取代或未取代的C2-C10烯基、经取代或未取代的C2-C10炔基、经取代或未取代的芳基、经取代或未取代的杂芳基、酰基、酯基、醚基或胺基。

8.根据权利要求7所述的低漏电的电解电容器，其特征在于，所述导电性高分子为聚3,4-乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸、聚噻吩、聚乙炔、聚苯胺或聚吡咯。

9.根据权利要求7所述的低漏电的电解电容器，其特征在于，所述导电性高分子占所述导电层的1.0至20.0wt％之间，所述离子液体占所述导电层的0.05至30.0wt％之间。

10.根据权利要求7所述的低漏电的电解电容器，其特征在于，所述难挥发溶剂包含聚烷撑二醇、聚烷撑二醇的衍生物、聚乙二醇、聚乙二醇的衍生物、聚丙二醇、聚丙二醇的衍生物、聚丁二醇、聚丁二醇的衍生物、乙二醇与丙二醇的共聚物、乙二醇与丁二醇的共聚物及丙二醇与丁二醇的共聚物中的至少一种。