[发明专利]单晶硅的制造方法在审
| 申请号： | 201611129253.4 | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN106906514A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 江头和幸;齐藤正夫 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/36 | 分类号： | C30B15/36;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 李志强,杨思捷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制造 方法 | ||
1. 单晶硅的制造方法，其是基于从掺杂有氮的硅熔体中提拉单晶硅的提拉法的单晶硅的制造方法，其特征在于，包括：
生长位于单晶硅的上部侧的第1产品区域的工序，和
生长与上述第1产品区域相比位于上述单晶硅的下部侧、BMD密度的制造规格与上述第1产品区域不同的第2产品区域的工序，
上述第2产品区域中的BMD密度的制造规格的上限值和下限值分别大于上述第1产品区域中的BMD密度的制造规格的上限值和下限值，
在生长上述第1产品区域的工序中，将上述单晶硅中的氧浓度控制在上述第1产品区域中的BMD密度的制造规格的范围内，
在生长上述第2产品区域的工序中，将上述单晶硅中的氧浓度控制在上述第2产品区域中的BMD密度的制造规格的范围内。
2.权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其中，上述第2产品区域中的BMD密度的制造规格的下限值为上述第1产品区域中的BMD密度的制造规格的中位数以上。
3.权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其中，上述第2产品区域中的BMD密度的制造规格的下限值为上述第1产品区域中的BMD密度的制造规格的上限值以上。
4.权利要求1~3的任一项中所述的单晶硅的制造方法，其中，上述第2产品区域中的氧浓度的下限值为上述第1产品区域中的氧浓度的上限值以上。
5.权利要求1~4的任一项中所述的单晶硅的制造方法，其中，在上述氧浓度的控制中，调整支撑上述硅熔体的石英坩埚的旋转速度、加热上述硅熔体的加热器的功率、炉内环境压力的至少任一者。
6.权利要求1~5的任一项中所述的单晶硅的制造方法，其中，在生长上述第2产品区域的工序中，使上述单晶硅中的氧浓度降低，以抑制由于氮的偏析现象导致的与掺入到上述单晶硅中的氮浓度的增加相伴而在结晶生长方向上形成的BMD密度的增加。
7.权利要求1~6的任一项中所述的单晶硅的制造方法，其中，在上述第1产品区域的生长之后，在增大上述石英坩埚的旋转速度使上述硅熔体中的氧浓度暂时上升之后，生长上述第2产品区域。
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