[发明专利]一种稳压电路

权利要求书

1.一种稳压电路，其特征在于，包括：

电压偏置单元，与快速启动单元和第一级运算放大单元相连，用于在快速启动单元的控制下为所述第一级运算放大单元提供偏置电压；

第一级运算放大单元，与快速启动单元和第二级运算放大单元相连，用于在所述快速启动单元和所述偏置电压的控制下对输出电压与参考电压之间的电压差进行放大，并将结果输出给所述第二级运算放大单元；

第二级运算放大单元，与快速启动单元相连，用于在快速启动单元的控制下对第一级运算放大单元的输出电压进行驱动能力放大，并输出与参考电压相同的输出电压；

快速启动单元，与上述各单元相连，用于在控制信号的控制下对上述各单元提供快速启动控制信号；

弥勒补偿单元，分别与所述第一级运算放大单元和所述第二级运算放大单元相连，用于减慢输出电压的瞬态响应。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电压偏置单元包括：第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管，其中：

所述第二PMOS管的源极与电源相连，栅极以及漏极与所述第一NMOS管的漏极相连；所述第三PMOS管的源极与电源相连，栅极与所述第二PMOS管的栅极相连，漏极与所述第三NMOS管的漏极相连；所述第一NMOS管的栅极与参考电压相连，源极与所述第三NMOS管的源极相连；所述第三NMOS管的漏极与栅极相连。

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述第一级运算放大单元包括：第五PMOS管、第六PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管，其中：

所述第五PMOS管的源极与电源相连，栅极以及漏极与所述第五NMOS管的漏极相连；所述第六PMOS管的源极与电源相连，栅极与所述第五PMOS管的栅极相连，漏极与所述第六NMOS管的漏极相连；所述第五NMOS管的栅极与输出电压相连，源极与所述第六NMOS管的源极以及所述第四NMOS管的漏极相连；所述第六NMOS管的栅极与参考电压相连；所述第四NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极相连，源极与第三NMOS管的源极相连。

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第二级运算放大单元包括：第八PMOS管、第二电阻和第三电阻，其中：

所述第八PMOS管的源极与电源相连，栅极与所述第六PMOS管的漏极相连，漏极与所述第二电阻的第一端相连，所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端以及输出电压端相连，所述第三电阻的第二端与地相连。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述快速启动单元包括：第一PMOS管、第二电容、第七PMOS管、第四PMOS管和第二NMOS管，其中：

所述第一PMOS管的源极与所述第二PMOS管的栅极相连，栅极与控制信号相连，漏极与所述第二电容的第一端和所述第三PMOS管的漏极相连，所述第二电容的第二端接地；所述第七PMOS管的栅极与控制信号相连，源极与电源相连，漏极与所述第六PMOS管的漏极相连；所述第四PMOS管的栅极与控制信号相连，源极与电源相连，漏极与所述第四NMOS管的漏极相连；所述第二NMOS管的栅极与控制信号相连，漏极与所述第三NMOS管的源极相连，源极与地相连。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述弥勒补偿单元包括，第一电阻和第一电容，其中：所述第一电阻的第一端与所述第六PMOS管的漏极相连，第二端与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端与所述第八PMOS管的漏极相连。