[发明专利]功率放大器有效
申请号: | 201611109228.X | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN108155875B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 周千译;陈家源 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F3/21 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郑特强;李昕巍 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率放大器 | ||
1.一种功率放大器,能操作于一能源效率模式下与一高输出功率模式下,其特征在于,包含:
一第一晶体管,包含一第一高电位端、一第一低电位端与一第一控制端,该第一高电位端耦接一高电位供应端,该第一低电位端耦接一信号输出端;
一第二晶体管,包含一第二高电位端、一第二低电位端与一第二控制端,该第二高电位端耦接该信号输出端,该第二低电位端耦接一低电位供应端,该第二控制端耦接一信号输入端;
一第一偏压元件,耦接一第一负载偏压电位端;
一第二偏压元件,耦接一第二负载偏压电位端;
一第三偏压元件;
一第一开关,耦接于该高电位供应端与该第一控制端之间,用来依据一控制信号于该能源效率模式下不导通以及于该高输出功率模式下导通;
一第二开关,耦接于该信号输入端与该第一控制端之间,用来依据该控制信号于该能源效率模式下导通以及于该高输出功率模式下不导通;
一第三开关,耦接于该信号输入端与该第三偏压元件之间,用来依据该控制信号于该能源效率模式下导通以及于该高输出功率模式下不导通;
一第四开关,耦接于该第三偏压元件与该信号输出端之间,用来依据该控制信号于该能源效率模式下导通以及于该高输出功率模式下不导通;
一第五开关,耦接于该第二控制端与一晶体管偏压电位端之间,用来依据该控制信号于该能源效率模式下不导通以及于该高输出功率模式下导通;
一第六开关,耦接于该第一偏压元件与该信号输出端之间,用来依据该控制信号于该能源效率模式下不导通以及于该高输出功率模式下导通;以及
一第七开关,耦接于该信号输出端与该第二偏压元件之间,用来依据该控制信号于该能源效率模式下导通以及于该高输出功率模式下不导通。
2.如权利要求1所述的功率放大器,其中该第一晶体管是一P型金氧半导体晶体管或一第一双极性晶体管,该第二晶体管是一N型金氧半导体晶体管或一第二双极性晶体管。
3.如权利要求1所述的功率放大器,其中该第一、第二、第三、第四、第五、第六及第七开关的每一个包含下列其中之一:一NMOS晶体管;一PMOS晶体管;一互补式金氧半导体传输闸;以及一BJT。
4.如权利要求1所述的功率放大器,其中该第一、第二与第三偏压元件的每一个包含下列其中之一:一电感;一电容;以及一电阻。
5.如权利要求4所述的功率放大器,其中该第一与第二偏压元件的每一个是一电感或一电容,该第三偏压元件是一电阻。
6.如权利要求1所述的功率放大器,其于该能源效率模式下是一反相器型功率放大器,而于该高输出功率模式下是一共源极放大器或一共射极放大器。
7.一种功率放大器,能够操作于一能源效率模式下与一高输出功率模式下,其特征在于,包含:
一第一晶体管,包含一第一高电位端、一第一低电位端与一第一控制端,该第一高电位端耦接一高电位供应端,该第一低电位端耦接一信号输出端,该第一控制端于该能源效率模式下耦接一信号输入端;
一第二晶体管,包含一第二高电位端、一第二低电位端与一第二控制端,该第二高电位端耦接该信号输出端,该第二低电位端耦接一低电位供应端,该第二控制端耦接该信号输入端;
一第一偏压元件,耦接一第一负载偏压电位端,该第一偏压元件于该能源效率模式下不耦接该信号输出端,并于该高输出功率模式下耦接该信号输出端;
一第二偏压元件,耦接一第二负载偏压电位端,该第二偏压元件于该能源效率模式下耦接该信号输出端,并于该高输出功率模式下不耦接该信号输出端;
一第三偏压元件,于该能源效率模式下耦接于该信号输入端与该信号输出端之间,并于该高输出功率模式下不耦接该信号输入端与该信号输出端;以及
多个开关,每一该开关用来依据一控制信号于该能源效率模式下导通或不导通以及于该高输出功率模式下导通或不导通,所述开关于该能源效率模式下使该第一晶体管、该第二晶体管、该第二偏压元件与该第三偏压元件构成一反相器型功率放大器,而于该高输出功率模式下使该第二晶体管与该第一偏压元件构成一共源极放大器或一共射极放大器。
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