[发明专利]传感装置在审
| 申请号: | 201611094919.7 | 申请日: | 2016-12-02 |
| 公开(公告)号: | CN108153359A | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
| 发明(设计)人: | 杨思哲;林文琦;陈耿男 | 申请(专利权)人: | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 姚垚;曹正建 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 源极跟随器 可程序化增益放大器 微机电传感器 输入电压 传感装置 电性连接 电荷泵 泵浦 参考电压 双端 差动输出电压 电压产生 电源电压 环境变化 输出 输入端 抑制比 电路 | ||
一种传感装置具有电荷泵、微机电传感器、源极跟随器与可程序化增益放大器;微机电传感器电性连接电荷泵;源极跟随器电性连接微机电传感器;可程序化增益放大器的输入端电性连接源极跟随器;电荷泵用以提供泵浦电压;微机电传感器用以依据环境变化产生输入电压;源极跟随器用以依据泵浦电压产生跟随参考电压,源极跟随器用以依据输入电压产生跟随输入电压;可程序化增益放大器依据跟随参考电压与跟随输入电压产生双端差动输出电压。本发明的传感装置,源极跟随器与可程序化增益放大器分别具有双端输出,且源极跟随器的其中一路输出依据泵浦电压而产生,使相关电路具有更佳的电源电压抑制比。
技术领域
本发明涉及一种传感装置,尤其涉及一种源极跟随器为双端输出的传感装置。
背景技术
微机电系统(Micro Electro Mechanical System,MEMS)是一种将微电子技术与机械工程融合的一种工业技术。微机电系统的大小一般在微米(micrometer,μm)到毫米(micrometer,mm)之间。微机电统一般是由类似于生产半导体的技术制造而成。其中,包括更改的硅加工方法如压延、电镀、湿蚀刻、干蚀刻与电火花加工等等。
目前常见的微机电系统通常会具有源极跟随器(source follower)与可程序化增益放大器(programmable gain amplifier,PGA)以调整信号增益与传输阻抗。但以往所使用的源极跟随器都为单端输出,使得可程序增益放大器的电源电压抑制比(power supplyrejection ratio,PSRR)无法提高。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足提供一种源极跟随器为双端差动输出的传感装置,以进一步提高可程序化增益放大器的电源电压抑制比。
本发明所要解决的技术问题是通过如下技术方案实现的:
一种传感装置,所述的传感装置具有电荷泵、微机电传感器、源极跟随器与可程序化增益放大器;电荷泵用以提供泵浦电压;微机电传感器电性连接电荷泵;源极跟随器电性连接微机电传感器;可程序化增益放大器的输入端电性连接源极跟随器;微机电传感器用以依据环境变化产生输入电压;源极跟随器用以依据泵浦电压产生跟随参考电压,源极跟随器用以依据输入电压产生跟随输入电压;可程序化增益放大器依据跟随参考电压与跟随输入电压产生双端差动输出电压。
更好地,该源极跟随器包括:一第一晶体管,该第一晶体管的第一端用以接收一第一基准电压,该第一晶体管的第二端电性连接一第一输出端,该第一晶体管的控制端用以接收一控制电压;一第二晶体管,该第二晶体管的第一端电性连接该第一晶体管的第二端,该第二晶体管的第二端用以接收一第二基准电压,该第二晶体管的控制端用以接收该输入电压;一第三晶体管,该第三晶体管的第一端用以接收该第一基准电压,该第三晶体管的第二端电性连接一第二输出端,该第三晶体管的控制端用以接收该控制电压;以及一第四晶体管,该第四晶体管的第一端电性连接该第三晶体管的第二端,该第四晶体管的第二端用以接收该第二基准电压,该第四晶体管的控制端用以接收一模拟电压;其中,该模拟电压关联于该微机电传感器依据该泵浦电压所产生的输出电压,该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管与该第四晶体管同为N型晶体管或同为P型晶体管。
更好地,该第四晶体管的控制端电性连接一电容的一端,该电容的另一端用以接收该泵浦电压;其中,该微机电传感器具有一自然状态与一侦测状态,当该微机电传感器处于该自然状态时,该微机电传感器具有一等效电容,该电容的电容值等于该等效电容。
更好地,该源极跟随器包括一第一偏压单元与一第二偏压单元,该第一偏压单元的一端电性连接该第二晶体管的控制端,该第一偏压单元的另一端用以接收该第二基准电压,该第二偏压单元的一端电性连接该第四晶体管的控制端,该第二偏压单元的另一端用以接收该第二基准电压。
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