[发明专利]一种变压器有载开关测试系统及方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种测试方法，具体是一种变压器有载开关测试系统及方法。

背景技术

目前对变压器有载分接开关特性进行测试的测试方法有：

1)直流测试法：直流测试法优点在于能测出变压器有载分接开关过度电阻、过度时间等具体参数且可以根据得到的参数与铭牌数据进行对比，作为测试的重要依据。缺点在于直流源测试过程中易受变压器绕组冲击或直流电压太低无法击穿油膜而导致恒流源短时间内断流等情况出现，从而对变压器有载分接开关切换过程中是否接触不良等现象难以给出准确判断。

2)交流测试法：变压器有载分接开关交流测试方法的优点在于交流源和变压器运行条件相近，测试波形数据更能反映变压器有载分接开关在运行中的实际情况，对切换过程中出现接触不良或断线等情况给出准确的判断。缺点在于不能测试出过度电阻、切换时间等铭牌数据。

鉴于直流测试法和交流测试法的测试特点，亟需一种能同时进行交流特性和直流特性的变压器有载分接开关特性测试装置，至少部分减少上述两种测试方法的缺点，优化组合，使测试简便快捷，测试结果更准确全面。

发明内容

针对上述问题，本发明提出了一种构思合理，测试简便、快捷，可通过使直流波形和交流波形同步比较，相互参考，给出更为准确的测试结果，测试结果更加全面的变压器有载开关测试方法及方法。

本发明的技术方案如下：

上述的变压器有载开关测试系统，包括上位机及与所述上位机相连的下位机；所述上位机包括测试界面模块、查询模块、存储模块、数据处理模块和上位机USB模块；所述测试界面模块与所述查询模块连接，所述查询模块分别连接所述存储模块和数据处理模块，所述存储模块和数据处理模块均与所述上位机USB模块连接并通过所述上位机USB模块连接所述下位机；所述下位机包括ARM处理器、下位机USB模块、电源模块、存储器、LCD显示屏、键盘、信号处理电路、传感器接入模块、同步动态随机存储器和NorFlash闪存；所述ARM处理器分别与所述下位机USB模块、电源模块、存储器、LCD显示屏、键盘、同步动态随机存储器和NorFlash闪存连接；同时，所述ARM处理器通过所述下位机USB模块与所述上位机USB模块连接；所述信号处理电路一端连接所述ARM处理器，另一端连接所述传感器接入模块并通过所述传感器接入模块与变压器有载开关连接。

所述变压器有载开关测试系统，其中：所述信号处理电路是由二极管D1～D2、电容C1～C3、电阻R1～R7、光电耦合器U1和单向可控硅VS连接组成；所述二极管D2为稳压二极管，所述电容C1为滤波电容，所述电容C2为去耦电容；所述电阻R6一端通过电压输入端Vi连接所述传感器接入模块，另一端连接所述电阻R5一端；所述电阻R5另一端连接所述电容C3一端，所述电容C3另一端分别连接所述单向可控硅VS的K极和所述光电耦合器U1内发光二极管阴极；所述单向可控硅VS的A极接地，所述单向可控硅VS的G极连接于所述电阻R5与R6的连接点；所述电阻R7一端接地，另一端连接所述单向可控硅VS的G极；所述光电耦合器U1内发光二极管阴极连接所述电阻R4并通过所述电阻R4连接电源VCC2，所述光电耦合器U1内发光二极管阳极连接所述电阻R3并通过所述电阻R3连接电源VCC2，所述光电耦合器U1内光敏三极管集电极连接所述电阻R1并通过所述电阻R1连接电源VCC2，所述光电耦合器U1内光敏三极管发射极通过输出端Vo连接所述ARM处理器；所述电阻R2一端接地，另一端连接所述光电耦合器U1内光敏三极管发射极；所述电容C1和C2均一端接地，另一端连接所述光电耦合器U1内光敏三极管发射极；所述二极管D2的阳极端接地，阴极端连接所述光电耦合器U1内光敏三极管发射极；所述二极管D1的阳极端连接所述光电耦合器U1内光敏三极管发射极，所述二极管D1的阴极端连接电源VCC1。

所述变压器有载开关测试系统，其中：所述单向可控硅VS的型号为TL431。

一种变压器有载开关测试方法，其基于变压器有载开关测试系统，是采用上、下位机的测试，下位机能够通过下位机USB模块与上位机进行通信，上、下位机对信号进行分析处理和显示，以判断高压开关的性能，保护电网的正常运行；测试方法具体包括如下步骤：

(1)对高压开关测试装置进行系统性的分析

根据系统的需求制定相应的测试方法及参数，选择用直线位移传感器进行测量，测试出分合闸线圈的电流峰值以及变化曲线，制定出下位机需要实现的功能要求，提出整体测试数据；

(2)下位机硬件电路系统的分析