[发明专利]一种高耐久性薄型化IPS偏光片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611085346.1 申请日: 2016-12-01
公开(公告)号: CN106597595B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 姜富方;钱琨;陈敏;罗子安 申请(专利权)人: 深圳市盛波光电科技有限公司
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30;G02B1/14
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人: 王雨时
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 耐久性 薄型化 ips 偏光 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种高耐久性薄型化IPS偏光片制备方法,其特征在于:该方法包括以下步骤:

步骤A.对第一内保护膜进行亲水处理,所述亲水处理主要系在所述第一内保护膜上涂布亲水涂层,烘干;

步骤B.将PVA膜与第二内保护膜、经步骤A处理的第一内保护膜的涂层侧通过PVA胶水粘合,得原光片;

步骤C.将构成所述原光片的第二内保护膜与第一外保护膜贴合,得偏光片半成品;

步骤D.将构成所述偏光片半成品的第一内保护膜与离型膜通过压敏胶贴合,得高耐久性薄型化IPS偏光片;

其中,步骤A中所述亲水涂层的制备方法包括以下步骤:

步骤A1.用水稀释亲水涂层本体,得亲水涂层母液;

步骤A2.向所述亲水涂层母液中加入助剂,得亲水涂层溶液,所述助剂包括占所述亲水涂层溶液质量分数0.1-0.2%的流平剂、0.4-0.6%的润湿剂、0.8%-1.2%的增稠剂;

步骤A3.对所述亲水涂层溶液进行充分搅拌后过滤。

2.根据权利要求1所述的高耐久性薄型化IPS偏光片制备方法,其特征在于:步骤A2中的助剂包括占所述亲水涂层溶液质量分数5-10%的硅烷偶联剂。

3.根据权利要求1所述的高耐久性薄型化IPS偏光片制备方法,其特征在于:步骤A2中的助剂包括占所述亲水涂层溶液质量分数5-10%的固化剂。

4.根据权利要求1所述的高耐久性薄型化IPS偏光片制备方法,其特征在于:步骤A2中的助剂包括占所述亲水涂层溶液质量分数0.1-0.2%的消泡剂。

5.根据权利要求1所述的高耐久性薄型化IPS偏光片制备方法,其特征在于:步骤A2中的助剂包括占所述亲水涂层溶液质量分数0.1-0.2%的破泡剂。

6.根据权利要求1所述的高耐久性薄型化IPS偏光片制备方法,其特征在于:所述亲水涂层本体为聚氨基甲酸酯。

7.根据权利要求1所述的高耐久性薄型化IPS偏光片制备方法,其特征在于:所述步骤A中对所述第一内保护膜进行亲水处理前,对所述第一内保护膜进行表面电晕或涂抹表面处理剂。

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