[发明专利]一种碳纳米管增强三维结构中间层辅助钎焊的方法有效
申请号: | 201611081818.6 | 申请日: | 2016-11-30 |
公开(公告)号: | CN106346100B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 亓钧雷;霸金;王毅恒;林景煌;金宇鹏;冯吉才 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | B23K1/20 | 分类号: | B23K1/20;B23K1/008 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 李红媛 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面杂质 去除 碳纳米管增强 泡沫金属 钎焊 三维结构 中间层 钎料箔片 待焊件 金属 制备 浸泡 等离子体增强化学气相沉积 陶瓷 压强 制备碳纳米 残余应力 高温性能 金属钎焊 钎焊陶瓷 氢气气氛 陶瓷材料 依次叠放 真空装置 冷却 | ||
一种碳纳米管增强三维结构中间层辅助钎焊的方法,它涉及钎焊陶瓷与金属的方法。本发明要解决现有陶瓷材料与金属钎焊连接中,残余应力较大以及高温性能不足的问题。方法:一、制备浸泡后的泡沫金属;二、将浸泡后的泡沫金属置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中,并在一定压强和氢气气氛下升温;三、制备碳纳米管增强的泡沫金属;四、制备去除表面杂质的金属、去除表面杂质的钎料箔片及去除表面杂质的陶瓷;五、将去除表面杂质的待焊金属、碳纳米管增强的泡沫金属、去除表面杂质的钎料箔片及去除表面杂质的陶瓷依次叠放,得到待焊件,将待焊件进行钎焊,然后冷却至室温。本发明用于一种碳纳米管增强三维结构中间层辅助钎焊的方法。
技术领域
本发明涉及钎焊陶瓷与金属的方法。
背景技术
陶瓷材料是目前工程材料中刚度最好、硬度最高的材料,同时陶瓷的线膨胀系数比金属低,当温度发生变化时,陶瓷具有良好的尺寸稳定性;陶瓷材料一般具有高的熔点(大多在2000℃以上),在高温下不易氧化,并对酸、碱、盐具有良好的抗腐蚀能力,具有稳定的耐腐蚀性,而且其导热性低于金属材料,是良好的隔热材料,陶瓷拥有诸多优良的高温性能。陶瓷根据其制作方法可分为多种功能陶瓷,已经广泛的应用于航空航天、能源交通、电力电子、生物医学、化工、光学和机械工程等领域。
虽然陶瓷具有以上优良性能,但其塑性、韧性较低,其成型性不好,难以加工成复杂结构,故多采用与金属连接,实现与金属在性能方面的互补,以获得具有陶瓷与金属各自优异性能的陶瓷-金属复合件。在航天航空等领域所应用的陶瓷-金属复合件多在高温载荷环境下工作,所选陶瓷与金属均可耐受高温环境,而陶瓷与金属常使用钎焊方法进行连接,这无疑对钎焊接头造成巨大的挑战,常规方法所得到的钎焊接头会在高温载荷下发生熔化、开裂的现象。陶瓷-金属复合件的钎焊连接所面临的问题如下:一方面,二者化学键不同,晶体结构不同,物理化学成分差异大,常常出现焊接残余应力大,反应不充分,脆性相过多等问题,造成接头强度的下降;另一方面,普通钎焊方法耐高温性能差,无法满足高温工作需求。故需研制一种保证陶瓷与金属连接强度,并能满足高温工作需求的方法。
碳纳米管是由一层或多层石墨烯层按一定的螺旋角度卷绕而成的中空管状结构,根据理论计算和实验测量发现,单层碳纳米管的杨氏模量可达1TPa,与金刚石相当,约为钢材的5倍;其拉伸强度在11~63GPa的范围内,约为钢材的1000倍,具有极高的刚度与强度;并且其具有较低的线膨胀系数,可降低钎焊接头应力;碳纳米管具有较高的熔点,可提升钎料熔化温度,故其广泛应用于增强体材料。碳纳米管的优点就在于其结构的一维性,团聚会影响碳纳米管性能的发挥,故碳纳米管的均匀分散对其作用的发挥有着至关重要的作用。传统的碳纳米管制备方法诸如电弧放电法、激光烧蚀法、固相热解法、辉光放电法、聚合反应合成法等,都会不同程度的产生不定形碳、团聚的碳纳米管,难以用于增强体材料。
发明内容
本发明要解决现有陶瓷材料与金属钎焊连接中,残余应力较大以及高温性能不足的问题,而提供一种碳纳米管增强三维结构中间层辅助钎焊的方法。
一种碳纳米管增强三维结构中间层辅助钎焊的方法是按照以下步骤进行的:
一、将泡沫金属依次用浓度为1mol/L~3mol/L的盐酸、丙酮、无水乙醇及去离子水分别清洗10min,然后自然晾干,得到预处理后的泡沫金属,将催化剂加入到无水乙醇中,得到浓度为0.001mol/L~1mol/L的催化剂的无水乙醇溶液,将预处理后的泡沫金属浸渍在浓度为0.001mol/L~1mol/L的催化剂的无水乙醇溶液中,静置1h,然后自然晾干,得到浸泡后的泡沫金属;
二、将浸泡后的泡沫金属置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中,抽真空至压强为20Pa~100Pa以下,通入氢气,调节氢气气体流量为20sccm~60sccm,调节抽真空速度将等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强控制为100Pa~300Pa,并在压强为100Pa~300Pa和氢气气氛下,在30min内将温度升温至为300℃~800℃;
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