[发明专利]一种GaN HEMT热稳态特性的快速测量方法有效
| 申请号： | 201611062801.6 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106526445B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈勇波 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静态功耗 偏置电压 稳态特性 快速测量 升序排列 测量 半导体器件制造 测量效率 施压 | ||
1.一种GaN HEMT热稳态特性的快速测量方法，其特征在于，包括如下步骤：
选取GaN HEMT器件的多个偏置电压值，测量获得GaN HEMT器件的初始直流I-V特性；
根据GaN HEMT器件的初始直流I-V特性，计算获得对应多个偏置电压下的静态功耗；
将所述静态功耗按照升序排列，并根据所述静态功耗升序排列对应的偏置电压值顺序，对所述GaN HEMT器件施压，重新测量GaN HEMT器件的热稳态特性。
2.根据权利要求1所述的GaN HEMT热稳态特性的快速测量方法，其特征在于，所述GaNHEMT器件的热稳态特性具体为GaN HEMT器件热稳态时的直流I-V特性和S参数特性。
3.根据权利要求1所述的GaN HEMT热稳态特性的快速测量方法，其特征在于，所述多个偏置电压值具体为GaN HEMT器件工作偏压范围内的任意多个栅极电压和对应的漏极电压的组合，其中，栅极电压变化范围为从沟道夹断电压至沟道完全打开的电压的变化，漏极电压的变化范围为从0V至GaN HEMT器件偏置电压的变化。
4.根据权利要求1所述的GaN HEMT热稳态特性的快速测量方法，其特征在于，所述选取GaN HEMT器件的多个偏置电压值，测量获得GaN HEMT器件的初始直流I-V特性，具体为：
选取GaN HEMT器件的多个偏置电压值，测量获得GaN HEMT器件的漏极电流随栅极电压和漏极电压的变化特性。
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