[发明专利]用于有机光电器件的化合物以及包括其的有机光电器件、图像传感器和电子器件

权利要求书

1.用于有机光电器件的化合物，由以下化学式1表示：

[化学式1]

其中，在化学式1中，

X¹为Se，

X²为O、S、Se、Te、和C(R^c)(CN)之一，其中R^c为氢、氰基(-CN)和C₁-C₁₀烷基之一，

Ar¹和Ar²各自独立地为取代或未取代的苯基和取代或未取代的萘基之一，和

R¹-R⁵各自独立地为如下之一：氢、氘、取代或未取代的C₁-C₃₀烷基、及其组合。

2.如权利要求1所述的化合物，其中Ar¹和Ar²各自独立地为取代或未取代的苯基。

3.如权利要求1所述的化合物，其中Ar¹和Ar²之一为取代或未取代的苯基，且Ar¹和Ar²的另一个为取代或未取代的萘基。

4.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物在薄膜状态下具有500nm-600nm的最大吸收波长(λ_最大)。

5.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物在薄膜状态下具有525nm-560nm的最大吸收波长(λ_最大)。

6.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物在薄膜状态下呈现具有50nm-120nm的半峰全宽(FWHM)的光吸收曲线。

7.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物的熔点和沉积温度之间的差大于或等于5℃。

8.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物的熔点和沉积温度之间的差大于或等于30℃。

9.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物的熔点和沉积温度之间的差大于或等于50℃。

10.如权利要求1所述的化合物，其中所述化合物由化学式2表示：

[化学式2]

11.活性层，其包括如权利要求1-10任一项所述的用于有机光电器件的化合物。

12.如权利要求11所述的活性层，其中所述化合物具有比所述化合物的沉积温度高的熔点。

13.有机光电器件，包括：

彼此面对的第一电极和第二电极，和

在所述第一电极和所述第二电极之间的活性层，所述活性层为如权利要求11或12所述的活性层。

14.图像传感器，包括如权利要求13所述的有机光电器件。

15.如权利要求14所述的图像传感器，进一步包括：

集成有多个配置成感测蓝色波长区域中的光的第一光感测器件和多个配置成感测红色波长区域中的光的第二光感测器件的半导体基底，

其中所述有机光电器件在所述半导体基底上且配置成选择性地吸收绿色波长区域中的光。

16.如权利要求15所述的图像传感器，其中所述第一光感测器件和所述第二光感测器件在所述半导体基底上在竖直方向上堆叠。