[发明专利]一种垂直放置VUV射频灯的离子迁移谱及操作方法在审

专利信息
申请号: 201611040304.6 申请日: 2016-11-21
公开(公告)号: CN108088891A 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 李海洋;蒋丹丹;渠团帅;李京华;陈红;厉梅 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: G01N27/62 分类号: G01N27/62
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 116023 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 离子迁移谱 垂直放置 射频 试剂分子 试剂离子 单向气流 双向气流 产业化 电离源 负离子 光电离 灵敏度 丙酮 放射性 迁移
【权利要求书】:

1.一种垂直放置VUV射频灯的离子迁移谱,包括带法拉第盘接收极的圆筒形离子迁移管,离子迁移管内通过离子门分为反应区和迁移区,其特征在于:

于反应区的离子迁移管侧壁上设有VUV射频灯,VUV射频灯的出光方向与离子迁移管的轴向相垂直。

2.按照权利要求1所述装置,其特征在于:

于靠近离子迁移谱迁移区的一端设有漂气入口,于靠近离子迁移谱反应区的另一端设有载气入口或出气口,于VUV射频灯与离子门之间的离子迁移谱反应区侧壁上设有出气口或载气入口。

3.一种采用权利要求1或2所述装置的操作方法,其特征在于:

单向气流模式下,靠近法拉第盘的离子迁移管迁移区一端设有漂气入口,于VUV射频灯与离子门之间的离子迁移谱反应区侧壁上设有载气入口,反应区内载气气流方向和迁移区漂气气流方向一致,于靠近离子迁移谱反应区的另一端设有出气口,离子迁移管内的所有气体由出气口离开离子迁移管;

双向气流模式下,靠近法拉第盘的离子迁移管迁移区一端设有漂气入口,于靠近离子迁移谱反应区的另一端设有载气入口,反应区内载气气流方向和迁移区内漂气气流方向相反,于VUV射频灯与离子门之间的离子迁移谱反应区侧壁上设有出气口,离子迁移管内的所有气体由出气口离开离子迁移管。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:

基于试剂分子辅助光电离负离子迁移谱,丙酮作试剂分子,单向气流模式下产生单一稳定的试剂离子O2-(H2O)n,双向气流模式下产生单一稳定的试剂离子CO3-(H2O)n,垂直放置VUV射频灯的离子迁移谱,能够有效避免使用放射性电离源,提高离子迁移谱的灵敏度,有利于离子迁移谱的产业化。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:

离子迁移谱所采用的有机试剂分子为丙酮。

6.根据权利要求3或4所述的方法,其特征在于:

离子迁移谱所使用的VUV射频灯的供电电源为射频电源。

7.根据权利要求3所述的方法,其特征在于:

所述的载气、漂气用的气体均为经活性炭、硅胶、分子筛过滤过的空气。

8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于:

含有有机试剂分子的载气气体中有机试剂分子的浓度为20-30ppm。

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