[发明专利]一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置

说明书

本发明提供了一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置。该方法包括：获取故障存储单元的地址；确定选中存储单元；判断所述选中存储单元和所述故障存储单元的位置；若所述故障存储单元和所述选中存储单元位于同列位线上；对所述故障存储单元进行编程。本发明提供的一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置，提高了NOR型FLASH的稳定性。

技术领域

本发明涉及一种半导体存储器技术领域，尤其涉及一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置

背景技术

闪存（Flash Memory），是存储器的一种，但兼有RAM和ROM的优点，是一种可在系统进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器，同时它的高集成度和低成本使它成为市场主流。FLASH芯片是由内部成千上万个存储单元(cell)组成的，每个单元存储一个或多个比特(bit)，具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在系统编程、擦除等特点，并且可由内部嵌入的算法完成对芯片的操作，因而在各种嵌入式系统中得到了广泛的应用。作为一种非易失性存储器，FLASH在系统中通常用于存放程序代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。FLASH技术根据不同的应用场合也分为不同的发展方向，其中，NOR型FLASH擅长存储代码。NOR型FLASH是很常见的一种存储芯片，数据掉电不会丢失。NOR型FLASH支持程序直接在 FLASH 片内执行。因此，在嵌入式系统中，NOR型FLASH很适合作为启动程序的存储介质。

稳定性是产品在规定条件下和规定时间内完成规定功能的能力。对于NOR型FLASH，一般而言，数据保持能力、耐久力、抗干扰能力等是评价闪存可靠性的重要参数，其中，数据保持力指的是闪存存储的数据经过一段时间之后没有失真或丢失，仍可以有效读出的能力。对于NOR型FLASH，随着时间的推移，NOR型FLASH中存储单元的阈值电压会发生变化。或者NOR型FLASH制作过程中难免会出现，NOR型FLASH中存储单元的阈值电压过于小，而存在NOR型FLASH阵列正常工作时，故障存储单元影响正常存储单元，造成对存储单元读取错误的问题。

现有技术中，采取的办法是，在NOR型FLASH正常工作时，屏蔽这些故障存储单元，但是这些故障存储单元还是物理存在的，虽然屏蔽还是不能有效消除故障存储单元对于FLASH芯片工作时的干扰。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置，提高NOR型FLASH的稳定性。

第一方面，本发明实施例提供了一种提高NOR型FLASH稳定性的方法，该方法包括：

获取故障存储单元的地址；

确定选中存储单元；

判断所述选中存储单元和所述故障存储单元的位置；

若所述故障存储单元和所述选中存储单元位于同列位线上；

对所述故障存储单元进行编程。

可选地，所述存储单元为字线行和位线列的交叉点。

可选地，对所述故障存储单元进行编程包括，

将所述故障存储单元的字线电压加至8V~10V，位线电压加至3V~5V。

可选地，对所述故障存储单元进行编程包括：

实时读取所述故障存储单元编写后的阈值电压；

当所述故障存储单元的阈值电压大于等于非选中存储单元的字线电压时，停止对所述故障存储单元进行编程操作。

第二方面，本发明实施例提供了一种提高NOR型FLASH稳定性的装置，该装置包括：

字线和位线，用于形成存储单元阵列；

故障存储单元记录模块，用于获取故障存储单元的单元地址；