[发明专利]一种晶片切割产生弯曲片的检测方法在审

专利信息
申请号: 201610983045.4 申请日: 2016-11-09
公开(公告)号: CN106596237A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 付刘军 申请(专利权)人: 石长海
主分类号: G01N1/34 分类号: G01N1/34;G01N3/06;G01N3/20
代理公司: 北京中济纬天专利代理有限公司11429 代理人: 杨乐
地址: 454991*** 国省代码: 河南;41
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶片 切割 产生 弯曲 检测 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及晶片检测技术领域,具体涉及一种晶片切割产生弯曲片的检测方法。

背景技术

多线切割加工晶片的过程中,均出现了弓形弯曲片。在行业内已经达成共识,多线切割产生一定比例的弓形弯曲片是正常的,很难完全杜绝。目前行业内普遍没有把弓形弯曲片单独作为一项技术指标,对弓形弯曲片的产生还缺乏研究,没有很好的检测方法。高品质的晶片是市场发展的趋势,尽量减少弓形弯曲片,逐步提高产品质量才能主动适应市场发展的需要。在压电和光学两个领域,对晶片的平面度都有较高的要求,控制晶片弯曲度可以提高压电晶片的角度一致性,提高产品的稳定性,控制光学晶片的弯曲度可以改善抛光后的光圈,改善相机的成像清晰度。

测量切割晶片的弯曲度一致是行业内的一个空白,市场上测量平面度的专用工具,不仅价格昂贵,测量切割晶片弯曲度的效果也不理想,仅能局部测量不够直观也不够准确。

目前传统采用目测的粗略检测方法,将一定数量的切割晶片打乱次序后垒放在一起,手捏晶片的一端,观测切割晶片另一端的晶片之间缝隙情况,来判定晶片弯曲情况,只能从定性上判定,但不能解决定量准确判定。

发明内容

本发明的目的就是为了解决上述技术问题,而提供一种晶片切割产生弯曲片的检测方法。

本发明包括以下步骤:

①、制作标准块,标准块高度与晶片高度相同,标准块的长度大于晶片的长度,为方便使用可适当制作较长的标准块,标准块表面采用砂轮加工;

②、将切割下的待检测晶片清洗干净;

③、标准块和晶片置于影像测量仪的工作台面上,待检测晶片贴紧标准块的基准面;

④、调整影响测量仪的镜头高度使晶片上部棱边的成像清晰;

⑤、使用影像测量仪的专用工具测量晶片与基准面之间的间隙;

所述标准块表面采用170#树脂砂轮加工,标准块垂直度≤5′。

步骤③中,晶片切割的长度方向上下放置作为晶片放置时的高度方向,也就是标准块的高度。

步骤④中所述待检测晶片的高度决定了镜头的高度,高度大的待检测晶片需向上调整镜头。

步骤⑤中,多次调整晶片的放置方式,注意观察晶片的两端和晶片中间的间隙状况,同一位置多次放置确定弯曲片间隙数值。

本发明具有以下优点:

1、利用影像测量仪测量晶片切割弯曲度,是首次在晶片加工行业内精确测量晶片切割弯曲度状况,有助于了解多线切割中产生弯曲片的真实情况,可定量准确判定弯曲量,有效指导多线切割,具备批量化生产的优点。

2、使用影像测量仪测量弯曲度,操作方面、测量准确、方便观察,能够具体判定切割晶片产生弯曲的位置。

附图说明

图1是本发明待检测晶片与标准块贴合示意图。

图中:1、待检测晶片;2、标准块。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步说明。

如图1所示,本发明包括以下步骤:

①、制作标准块,标准块高度与晶片高度相同,标准块的长度大于晶片的长度,为方便使用可适当制作较长的标准块,标准块表面采用砂轮加工;

②、将切割下的待检测晶片清洗干净;

③、标准块和晶片置于影像测量仪的工作台面上,待检测晶片贴紧标准块的基准面;

④、调整影响测量仪的镜头高度使晶片上部棱边的成像清晰;

⑤、使用影像测量仪的专用工具测量晶片与基准面之间的间隙;

所述标准块表面采用170#树脂砂轮加工,标准块垂直度≤5′。

步骤③中,晶片切割的长度方向上下放置作为晶片放置时的高度方向,也就是标准块的高度。

步骤④中所述待检测晶片的高度决定了镜头的高度,高度大的待检测晶片需向上调整镜头。

步骤⑤中,多次调整晶片的放置方式,注意观察晶片的两端和晶片中间的间隙状况,同一位置多次放置确定弯曲片间隙数值。

在影像测量仪显示屏上显示结果是待检测晶片1与标准块2之间的间隙为h,待检测晶片1的一端有明显翘起。显示主要包括标准块2上表面,待检测晶片1的上部棱边,使用影像测量仪的专用测量工具,可以直接测量间隙情况,将有间隙的一端按压使之贴紧基准面,会看到晶片的另外一端出现同样的间隙情况,将晶片翻转使另外一个大面贴紧基准面,会看到晶片中间位置出现间隙,可以用同样的办法测量间隙大小,具体判断晶片切割弯曲片状况有效指导切割。

以上实施方式仅用于说明本发明,而并非对本发明的限制,有关技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,还可以做出各种变化和变型,因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴,本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

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