[发明专利]基于电控磁富集‑分离和全内反射磁成像的光学检测仪

权利要求书

1.一种光学检测仪，包括光学检测结构，其用于对待测样品进行光学检测，其特征在于，

还包括电控磁富集-分离结构，其用于对待测样品中的复合磁微粒子进行富集和分离。

2.如权利要求1所述的光学检测仪，其特征在于，

所述的电控磁富集-分离结构包括检测芯片和两个电磁线圈，所述的两个电磁线圈位于所述检测芯片的上下两侧，并且所述两电磁线圈之间的中轴线与所述检测芯片所在水平面相互垂直；

所述光学检测结构包括光源和检测装置，光源发射的入射光线以一定的入射角度入射到所述检测芯片和所述上下两个电磁线圈之间中轴线的交汇处，即检测区域，并反射到所述检测装置。

3.根据权利要求2所述的光学检测仪，其特征在于，所述的入射光线的入射角度和检测装置接收反射光线的反射角度为40～75度。

4.根据权利要求2所述的光学检测仪，其特征在于，所述的检测芯片具备微流控结构，所述微流控结构的中心位置与所述检测芯片和所述上下两个电磁线圈之间中轴线的交汇处相互重合。

5.根据权利要求4所述的光学检测仪，其特征在于，所述的检测芯片制备材料是透明材料。

6.根据权利要求2所述的光学检测仪，其特征在于，所述的两个电磁线圈为小型加强磁柱或磁片。

7.根据权利要求6所述的光学检测仪，其特征在于，所述的小型加强磁柱或磁片具有加强磁性的铁芯或钴镍铁芯。

8.根据权利要求6所述的光学检测仪，其特征在于，所述的两个电磁线圈的线圈数为50～800匝。

9.根据权利要求2所述的光学检测仪，其特征在于，所述的电控磁富集-分离结构还包括：电磁控制电路，所述的电磁控制电路结构用于按照一定的频率给所述两个电磁线圈分别交替加电或断电从而在其之间产生交替磁场。

10.根据权利要求1所述的光学检测仪，其特征在于，还包括恒温加热结构，用于实现检测区域的恒温环境。

11.根据权利要求2所述的光学检测仪，其特征在于，所述的光学检测结构还包括一个封闭的暗盒，所述的暗盒内壁进行涂黑处理，用于排除外界光线干扰。

12.根据权利要求2所述的光学检测仪，其特征在于，所述的光学检测结构还包括光源控制电路板，用于控制光源产生入射光线。

13.根据权利要求12所述的光学检测仪，其特征在于，所述的光源为LED或激光光源。

14.根据权利要求2所述的光学检测仪，其特征在于，所述的检测装置为显微镜头、远心镜头、CCD相机或CMOS相机、发光二极管或光电倍增管。

15.根据权利要求14所述的光学检测仪，其特征在于，所述的CCD相机或CMOS相机与所述的显微镜头或远心镜头配合使用，并且用于检测微米尺寸的图像。

16.根据权利要求15所述的光学检测仪，其特征在于，所述的远心镜头的景深和检测区域的表面积相匹配，用于获取清晰的面阵图像。

17.一种光学检测方法，基于权利要求1-16中任一项所述的光学检测仪，所述方法包括：

所述的光源发射入射光线以一定入射角度至检测芯片上的待测样品；

电磁控制电路控制检测芯片上下两个电磁线圈在待测样品上产生交替磁场；

检测装置接收经过反射的反射光线进行图像拍摄。