[发明专利]功率放大电路有效
申请号: | 201610915606.7 | 申请日: | 2016-10-20 |
公开(公告)号: | CN106656064B | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 本多悠里 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F1/42;H03F3/21 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 俞丹 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功率 放大 电路 | ||
1.一种功率放大电路,包括:
第一输出晶体管,该第一输出晶体管的集电极或者漏极被提供电源电压,该第一输出晶体管的发射极或者源极接地,对提供至该第一输出晶体管的基极或者栅极的输入信号进行放大,并从所述集电极或者漏极输出第一放大信号;
第一晶体管,该第一晶体管的集电极或者漏极被提供所述电源电压,该第一晶体管的基极或者栅极被提供第一电流,从该第一晶体管的发射极或者源极向所述第一输出晶体管的基极或者栅极提供第一偏置电流;以及
第二晶体管,该第二晶体管的集电极或者漏极与所述第一晶体管的基极或者栅极连接,该第二晶体管的基极或者栅极被提供第二电流,从所述第二晶体管的发射极或者源极向所述第一输出晶体管的基极或者栅极提供第二偏置电流,
并且该功率放大电路能对所述第一电流和第二电流中的至少一方的电流量进行调整,
还具备电流调整电路,该电流调整电路从所述第二晶体管的基极或者栅极引出与所述第一偏置电流对应的电流,
所述电流调整电路具备第三晶体管,该第三晶体管的集电极或者漏极与所述第二晶体管的基极或者栅极连接,该第三晶体管的基极或者栅极与所述第一晶体管的发射极或者源极连接,该第三晶体管的发射极或者源极接地。
2.如权利要求1所述的功率放大电路,其特征在于,包括:
第一电压生成电路,该第一电压生成电路将规定电平的第一电压提供至所述第一晶体管的基极或者栅极;以及
第二电压生成电路,该第二电压生成电路将规定电平的第二电压提供至所述第二晶体管的基极或者栅极。
3.如权利要求2所述的功率放大电路,其特征在于,
所述第一电压生成电路包括:
第一电阻元件,该第一电阻元件的一端被提供第一控制电流或者第一控制电压;
第四晶体管,该第四晶体管的集电极或者漏极连接至所述第一电阻元件的另一端,该第四晶体管的基极或者栅极与集电极或者漏极连接;以及
第五晶体管,该第五晶体管的集电极或者漏极与所述第四晶体管的发射极或者源极连接,该第五晶体管的基极或者栅极与集电极或者漏极连接,该第五晶体管的发射极或者源极接地,
所述第二电压生成电路包括:
第二电阻元件,该第二电阻元件的一端被提供第二控制电流或者第二控制电压;
第六晶体管,该第六晶体管的集电极或者漏极连接至所述第二电阻元件的另一端,该第六晶体管的基极或者栅极与集电极或者漏极连接;以及
第七晶体管,该第七晶体管的集电极或者漏极与所述第六晶体管的发射极或者源极连接,该第七晶体管的基极或者栅极与集电极或者漏极连接,该第七晶体管的发射极或者源极接地,从所述第四晶体管的集电极或者漏极输出所述第一电压,
从所述第六晶体管的集电极或者漏极输出所述第二电压。
4.如权利要求2或3所述的功率放大电路,其特征在于,
所述第一电压生成电路或者第二电压生成电路的输入端子连接至所述电源电压。
5.如权利要求1至3中任意一项所述的功率放大电路,其特征在于,
还包括控制电路,该控制电路根据所述输入信号的频率,对所述第一电流和第二电流中的至少一方的电流量进行调整。
6.如权利要求1至3中任意一项所述的功率放大电路,其特征在于,
还具备第二输出晶体管,该第二输出晶体管对所述第一放大信号进行放大,并输出第二放大信号。
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