[发明专利]一种太赫兹超材料波导及器件有效
| 申请号： | 201610871738.4 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106249321B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 潘奕;彭世昌;丁庆 | 申请（专利权）人： | 深圳市太赫兹系统设备有限公司;深圳市太赫兹科技创新研究院 |
| 主分类号： | G02B1/00 | 分类号： | G02B1/00 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 材料 波导 器件 | ||
1.一种太赫兹超材料波导，其特征在于，所述太赫兹超材料波导包括亚波长基底层和金属层，所述亚波长基底层的一个表面镀有所述金属层，所述金属层上开有呈周期性排列的多个微孔，通过改变所述亚波长基底层的厚度，来调节所述太赫兹超材料波导的截止频率。
2.如权利要求1所述的太赫兹超材料波导，其特征在于，所述多个微孔呈矩形阵列排布或正六边形排布。
3.如权利要求1所述的太赫兹超材料波导，其特征在于，所述多个微孔的结构周期范围为50μm～100μm，所述微孔的孔径范围为40μm～75μm。
4.如权利要求1所述的太赫兹超材料波导，其特征在于，所述微孔为圆孔或正多边形孔。
5.如权利要求1所述的太赫兹超材料波导，其特征在于，所述亚波长基底层的厚度范围为12μm～100μm。
6.如权利要求1所述的太赫兹超材料波导，其特征在于，所述亚波长基底层的制备材料为聚酯薄膜、特氟龙、硅或锗。
7.如权利要求1所述的太赫兹超材料波导，其特征在于，所述金属层的制备材料为金、银、铝或铜。
8.如权利要求1所述的太赫兹超材料波导，其特征在于，所述微孔通过光刻法、化学刻蚀法或激光切割工艺形成。
9.如权利要求1所述的太赫兹超材料波导，其特征在于，所述金属层通过热蒸发沉积法镀设于所述亚波长基底层表面。
10.一种太赫兹器件，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的太赫兹超材料波导。
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