[发明专利]一种无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法

权利要求书

1.一种无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法，其特征在于，包括步骤：S1、通过蒸发诱导自组装，在成膜衬底上制备碳纳米管薄膜；S2、将所述成膜衬底与所述碳纳米管薄膜利用水溶液进行剥离，得到分离后的碳纳米管薄膜；S3、将所述分离后的碳纳米管薄膜转移到目标衬底上。

2.如权利要求1所述的无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法，其特征在于，所述步骤S1是将成膜衬底插入碳纳米管溶液中，溶液蒸发过程中碳纳米管规则的排列在衬底表面。

3.如权利要求2所述的无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法，其特征在于，在将所述成膜衬底插入碳纳米管溶液之前对成膜衬底进行水浴超声清洗，并用氮气吹干。

4.如权利要求1所述的无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法，其特征在于，所述步骤S2是将润湿的成膜衬底放入含有去离子水的容器中，成膜衬底上的碳纳米管薄膜自行脱离并漂浮于水面。

5.如权利要求1所述的无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法，其特征在于，在所述步骤S2之前用水润湿成膜衬底表面。

6.如权利要求1所述的无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法，其特征在于，所述步骤S3是将目标衬底插入含有漂浮薄膜的去离子水中将薄膜捞出，并用氮气吹干。

7.如权利要求1所述的无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法，其特征在于，所述碳纳米管薄膜中的碳纳米管为半导体碳纳米管、金属碳纳米管、单一手性碳纳米管、单一结构碳纳米管中的至少一种。

8.如权利要求1所述的无支撑单一取向碳纳米管薄膜的制备及转移方法，其特征在于，所述成膜衬底为二氧化硅片、硅片、载玻片、石英中的一种。