[发明专利]一种锂离子电池石墨负极材料二次颗粒的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610851983.9 申请日: 2016-09-27
公开(公告)号: CN107871854A 公开(公告)日: 2018-04-03
发明(设计)人: 顾凯;丁晓阳;李虹;王旭峰;胡德明;王欢;刘海宁 申请(专利权)人: 宁波杉杉新材料科技有限公司
主分类号: H01M4/1393 分类号: H01M4/1393
代理公司: 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙)31288 代理人: 刘君
地址: 315177 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 锂离子电池 石墨 负极 材料 二次 颗粒 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及锂离子电池负极材料技术领域,具体地说是一种锂离子电池石墨负极材料二次颗粒的制备方法。

背景技术

锂离子电池凭借其高比能量、高工作电压、充放电速度快、循环寿命长、安全无污染等优点,已经成功取代其他二次电池,成为移动电话、笔记本电脑和摄录像机等小型电子产品的主要能源,而且大大地推动了电动汽车的产业化进程,许多国家也已经全面启动锂离子电池在军事和航空航天领域的开发,这就对锂离子电池提出来了更高的要求。

随着科技发展,电子产品和能源汽车对能量密度以及高功率更加地关注,尤其是能源汽车对高功率即能快速充放电有很大的要求。因此近年来针对石墨的改性处理已经成为研究热点。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的不足,对两种不同规格的人造石墨原材料分别进行处理后,再按照一定比例进行混配处理,得到了能兼顾二次颗粒材料优异的充电和循环性能,又兼顾了单颗粒材料高振实密度、高容量性能的产品。

为实现上述目的,设计一种锂离子电池石墨负极材料二次颗粒的制备方法,其包括下述步骤:

(1)、惰性气体中,将D50为8.5~10.5μm的一种人造石墨原材料放入低温表面改性反应釜中,以升温速率为1.5℃/min,搅拌的速度在28~38r/min,升温时间为180~240min进行一边升温一边搅拌,再恒温240min,得到二次包覆颗粒;

(2)、将二次包覆颗粒以2300~2800℃进行石墨化处理52~70h,得二次颗粒包覆体;

(3)、将二次颗粒包覆体进行融合挤压处理,融合转速为700~800r/min,融合时间为3min;融合后的融合体粒径D50控制在14~17μm,融合体的物料填充体积为75~85%;

(4)、将融合后的二次颗粒包覆体进行均匀预混料处理;

(5)、以60~150目的筛网进行筛分处理,取筛下物得二次颗粒A;

(6)、将D50为15.5~21μm的另一种人造石墨原材料,以2400~2800℃进行高温石墨化处理46~62h;

(7)、将经过石墨化处理后的另一种人造石墨原材料进行粉碎分级处理,得D50为17.0~20.0μm的单颗粒B;

(8)、将二次颗粒A与单颗粒B按重量份数比100∶28~32比例混配,即得复合颗粒石墨负极材料。

所述的预混料处理以36r/min的转速处理45~60min。

所述的二次包覆颗粒的D50为16~19μm。

所述的另一种人造石墨原材料的D50为18~18.5μm。

本发明与现有技术相比,制备的产品具有较高的振实密度,兼顾了二次颗粒材料优异的充电和循环性能,又兼顾了单颗粒材料的高振实密度、高容量的特点;另外制得的产品让单颗粒和二次包覆颗粒堆积填充,增加颗粒各向去向性分布,极片反弹小,同时使电解液在嵌入到炭和石墨材料中更加畅通,循环性能更优,其电化学性能总结如下:(1)首次放电容量在350mAh/g以上;(2)放电平台及平台保持率较高;(3)循环性能好(350次循环,容量保持>94%);(4)产品加工性能好,极片反弹小;(4)加工制备方法比较简单,适合工业化生产。

具体实施方式

现结合实施例对本发明作进一步地说明。

实施例1

本例的制备方法包括下述步骤:

(1)、在惰性气体中,将D50为8.5μm的一种人造石墨原材料,放入低温表面改性反应釜中,以升温速率为1.5℃/min,搅拌的速度在28r/min,升温时间为180min进行一边升温一边搅拌,再恒温240min,得到二次包覆颗粒;

(2)、将二次包覆颗粒以2300℃进行石墨化处理52h,得二次颗粒包覆体;

(3)、将二次颗粒包覆体进行融合挤压处理,融合转速为700r/min,融合时间为3min;融合后的融合体粒径D50为15μm,融合体的物料填充体积为80%;;

(4)、将融合后的二次颗粒包覆体以36r/min的转速处理45min进行均匀预混料处理;

(5)、以60目的筛网进行筛分处理,取筛下物得二次颗粒A;

(6)、将D50为15.5μm的另一种人造石墨原材料,以2400℃进行高温石墨化处理46h;

(7)、将经过石墨化处理后的另一种人造石墨原材料进行粉碎分级处理,得D50为17.0μm的单颗粒B;

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