[发明专利]靶面杂光光照度测量装置及测量方法

权利要求书

1.一种靶面杂光光照度测量装置，其特征在于，包括：

漫反射板，包括框型的基板及漫反射层，所述基板用于覆盖光阀靶面的非作用区，所述漫反射层设于所述基板上，所述漫反射层的反射特性满足余弦辐射体的要求，照射在所述漫反射板的杂光经所述漫反射层漫反射成反射光束；

投影镜头，设于所述漫反射板背向所述光阀的一侧，所述投影镜头的视场能够覆盖所述光阀的靶面，所述反射光束经所述投影镜头投影形成成像区；

测量仪，设于所述投影镜头背向所述漫反射板的一侧，且用于测量所述非作用区的杂光投影到成像区上的光照度；

控制器，根据所述成像区的面积及光照度，根据：

计算得到靶面杂光光照度，其中，E_A2是光阀的靶面杂光光照度；S_A2是漫反射层的面积；E_B2是成像区的光照度；S_B2是成像区的面积；ρ是漫反射层的反射率；τ是投影镜头的透过率；U是投影镜头的物方半孔径角。

2.根据权利要求1所述的靶面杂光光照度测量装置，其特征在于，所述基板为方框形。

3.根据权利要求1所述的靶面杂光光照度测量装置，其特征在于，所述漫反射层为四氯化碳层或硫酸钡层。

4.根据权利要求1所述的靶面杂光光照度测量装置，其特征在于，所述投影镜头为凸透镜或透镜组。

5.根据权利要求1所述的靶面杂光光照度测量装置，其特征在于，所述测量仪为照度计或光强测量仪。

6.根据权利要求1所述的靶面杂光光照度测量装置，其特征在于，还包括屏幕，所述屏幕设于所述成像区上，所述屏幕用于投影所述漫反射板的成像。

7.一种靶面杂光光照度测量方法，包括以下步骤：

漫反射板包括框型的基板及漫反射层，所述基板用于覆盖光阀靶面的非作用区，所述漫反射层设于所述基板上，所述漫反射层的反射特性满足余弦辐射体的要求，杂光投射于漫反射板上的漫反射层上，经所述漫反射层反射形成反射光束，测量所述漫反射层的面积；

所述反射光束经投影镜头投影形成成像区，测量所述成像区的面积；

测量仪放置于所述成像区，测量所述成像区的光照度；

控制器获取所述漫反射层的面积、所述成像区的面积、所述成像区的光照度，并根据：

计算得到靶面杂光光照度，其中，E_A2是光阀的靶面杂光光照度；S_A2是漫反射层的面积；E_B2是成像区的光照度；S_B2是成像区的面积；ρ是漫反射层的反射率；τ是投影镜头的透过率；U是投影镜头的物方半孔径角。

8.根据权利要求7所述的靶面杂光光照度测量方法，其特征在于，所述测量仪为照度计，所述测量仪直接测量所述成像区的光照度。

9.根据权利要求7所述的靶面杂光光照度测量方法，其特征在于，所述测量仪为光强测量仪，所述测量仪通过测量所述成像区的光强度，并将光强度转化为光照度，得到所述成像区的光照度。

10.根据权利要求7所述的靶面杂光光照度测量方法，其特征在于，所述成像区位于屏幕上，所述测量仪放置于所述屏幕上，测量所述屏幕上的成像区的光照度。