[发明专利]一种基于H桥的MMC子模块拓扑结构调制方法

权利要求书

1.一种基于H桥的MMC子模块拓扑结构调制方法，其特征在于，包括如下步骤：

使所述拓扑结构中的各H桥子模块在工作模式M1与工作模式M2之间相互切换，

对于各H桥子模块，在工作模式M1中，使晶体管VT1常通，晶体管VT2常关，而使晶体管VT3和晶体管VT4交替导通；在工作模式M2中，使晶体管VT4常通，晶体管VT3常关，而使晶体管VT1和晶体管VT2交替导通；

工作模式M1与工作模式M2的切换周期约等于H桥子模块开关周期的10⁴～10⁵倍，以及，

当所述H桥子模块处于工作模式M1时，实时测量晶体管VT1的温度，若晶体管VT1的温度超过预设的温度T1，则使该H桥子模块由工作模式M1切换为工作模式M2；

当所述H桥子模块处于工作模式M2时，实时测量晶体管VT4的温度，若晶体管VT4的温度超过预设的温度T4，则使该H桥子模块由工作模式M2切换为工作模式M1；

其中，H桥子模块包括晶体管VT1至VT4、分别与上述各晶体管反向并联的二极管VD1至VD4、以及电容C；

晶体管VT1的集电极与二极管VD1的负极连接、发射极与二极管VD1的正极连接，晶体管VT2的集电极与二极管VD2的负极连接、发射极与二极管VD2的正极连接，晶体管VT1的发射极还与晶体管VT2的集电极连接，且输出端A与晶体管VT1的发射极和晶体管VT2的集电极的连接点相连；

晶体管VT3的集电极与二极管VD3的负极连接、发射极与二极管VD3的正极连接，晶体管VT4的集电极与二极管VD4的负极连接、发射极与二极管VD4的正极连接，晶体管VT3的发射极还与晶体管VT4的集电极连接，且输出端B与晶体管VT3的发射极和晶体管VT4的集电极的连接点相连；

晶体管VT1的集电极与晶体管VT3的集电极之间，以及晶体管VT2的发射极与晶体管VT4的发射极之间均通过H桥母线相连；

电容C的正极和晶体管VT1的集电极与晶体管VT3的集电极之间的H桥母线相连，电容C的负极和晶体管VT2的发射极与晶体管VT4的发射极之间的H桥母线相连。

2.根据权利要求1所述的调制方法，其特征在于，

在工作模式M1中，晶体管VT3导通时使H桥子模块的输出电压为0，以切除子模块电容，晶体管VT4导通时使H桥子模块的输出电压为Vc，以投入子模块电容；

在工作模式M2中，晶体管VT2导通时使H桥子模块的输出电压为0，以切除子模块电容，晶体管VT1导通时使H桥子模块的输出电压为Vc，以投入子模块电容；

其中，Vc为电容C上的电压。

3.根据权利要求1所述的调制方法，其特征在于，利用靠近晶体管的水冷板铺设热电偶实现晶体管温度的测量。