[发明专利]面发光量子级联激光器

说明书

面发光量子级联激光器具有活性层、第一半导体层以及第一电极。上述活性层层叠有多个量子阱层，并通过子带间跃迁发射激光。上述第一半导体层设置于上述活性层之上，并且具有以构成二维的格子的方式设置有多个坑的第一面。上述第一电极设置于上述第一半导体层之上，并具有周期性的开口部。各个坑关于与上述格子的边平行的线为非对称。上述激光从在上述开口部露出的坑起沿相对上述活性层大致垂直方向射出。

技术领域

本发明的实施方式涉及面发光量子级联激光器。

背景技术

从近红外线在太赫兹波中的激光器振荡在空穴与电子的再结合发光中变得困难。

在使用对多重量子阱构造级联连接的构造时，能够通过电子的子带间跃迁，进行从红外线在太赫兹波(30GHz－30THz)中的激光器振荡。

在这种情况下，在使用形成于元件端面的镜的法布里珀罗型激光器中，端面出射面的厚度变小且光密度变高。因此，高输出化存在界限。

发明内容

实施方式涉及的面发光量子级联激光器，具备：活性层，层叠有多个量子阱层，并且能够通过子带间跃迁发射激光；第一半导体层，设置于上述活性层之上，并且具有以构成二维的格子的方式设置有多个坑的第一面；以及第一电极，设置于上述第一半导体层之上，各个坑关于与上述格子的边平行的线为非对称，上述激光沿相对上述活性层大致垂直方向射出。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式涉及的面发光量子级联激光器的局部模式立体图。

图2是第一实施方式涉及的面发光量子级联激光器的局部放大模式顶视图。

图3是表示带状部的配置的局部模式顶视图。

图4是表示电极配置的模式俯视图。

图5是与电极带状部的1周期内的坑数相对的电流注入的均匀度、以及相对光提取效率的曲线图。

图6是第一实施方式涉及的面发光量子级联激光器的制造方法的流程图。

图7是第二实施方式涉及的面发光量子级联激光器的局部放大模式顶视图。

图8是沿着图7的A－A线切断的模式立体图。

图9是第三实施方式涉及的面发光量子级联激光器的局部模式立体图。

图10(a)是坑形成后的模式剖视图，图10(b)是电极形成后的模式剖视图。

图11(a)是第三实施方式涉及的面发光量子级联激光器的模式底视图，图11(b)是从基板侧观察到的面发光量子级联激光器的模式立体图。

图12(a)、(b)是说明面发光量子级联激光器的组装工序的模式剖视图。

图13是第四实施方式涉及的面发光量子级联激光器的局部模式立体图。

图14是沿着图13的C－C线的模式剖视图。

图15(a)是第四实施方式的第1变形例涉及的面发光量子级联激光器的部分模式俯视图，图15(b)是第四实施方式的第2变形例涉及的面发光量子级联激光器的局部模式顶视图。

具体实施方式

实施方式的面发光量子级联激光器具有活性层、第一半导体层以及第一电极。上述活性层层叠有多个量子阱层，并通过子带间跃迁来发射激光。上述第一半导体层设置于上述活性层之上，并且具有以构成二维的格子的方式设置有多个坑的第一面。上述第一电极具设置于上述第一半导体层之上，并且具有周期性的开口部。各个坑关于与上述格子的边平行的线为非对称。上述激光从在上述开口部露出的坑起沿相对上述活性层大致垂直方向射出。

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。