[发明专利]4H-SiC纳米带阵列在高温场发射阴极材料中的应用有效
| 申请号： | 201610653329.7 | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN106128905B | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 杨为佑;陈春梅;陈善亮;高凤梅 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 纳米 阵列 高温 发射 阴极 材料 中的 应用 | ||
【权利要求书】：
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